權(quán)利要求書： 1.一種微粗糙電解銅箔，其特征在于，所述微粗糙電解銅箔包括一微粗糙表面，所述微粗糙表面具有多個(gè)凸峰、多個(gè)型凹槽以及多個(gè)微結(jié)晶簇，兩個(gè)相鄰的所述凸峰界定出一個(gè)型凹槽，所述型凹槽的平均深度小于1微米，所述微結(jié)晶簇位于所述凸峰頂部，其中每一個(gè)所述微結(jié)晶簇由多個(gè)微結(jié)晶堆疊構(gòu)成，所述微結(jié)晶的平均直徑小于0.5微米，所述微結(jié)晶簇的平均高度小于1.5微米；

其中，所述微粗糙電解銅箔的微粗糙表面的Rlr值低于1.06。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的微粗糙電解銅箔，其特征在于，每一個(gè)所述微結(jié)晶簇的平均高度小于1.3微米。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的微粗糙電解銅箔，其特征在于，每一個(gè)所述微結(jié)晶簇沿其自身高度方向的所述微結(jié)晶平均堆疊數(shù)量是15個(gè)以下；所述微結(jié)晶簇的平均最大寬度小于5微米；部分的所述微結(jié)晶簇形成有分岔結(jié)構(gòu)。

4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的微粗糙電解銅箔，其特征在于，所述微粗糙電解銅箔的微粗糙表面的Rlr值低于1.055。

5.一種銅箔基板，其特征在于，所述銅箔基板包括：一基材；以及

一微粗糙電解銅箔，其包括一貼附在所述基材的微粗糙表面，所述微粗糙表面形成有多個(gè)凸峰、多個(gè)型凹槽以及多個(gè)微結(jié)晶簇，兩個(gè)相鄰的所述凸峰界定出一個(gè)型凹槽，所述型凹槽的平均深度小于1微米，所述微結(jié)晶簇位于所述凸峰頂部，其中每一個(gè)所述微結(jié)晶簇由多個(gè)微結(jié)晶堆疊構(gòu)成，所述微結(jié)晶的平均直徑小于0.5微米，所述微結(jié)晶簇的平均高度小于1.5微米；

其中，所述銅箔基板于20GHz的介入損失介于0至-0.635db/in；

其中，所述微粗糙電解銅箔與所述基材間的剝離強(qiáng)度大于3lb/in。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的銅箔基板，其特征在于，所述銅箔基板于30GHz的介入損失介于0至-0.935db/in。

7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的銅箔基板，其特征在于，所述銅箔基板于8GHz的介入損失介于

0至-0.31db/in，所述銅箔基板于12.89GHz的介入損失介于0至-0.43db/in，所述銅箔基板于16GHz的介入損失介于0至-0.53db/in；所述微粗糙電解銅箔與所述基材之間的剝離強(qiáng)度大于3.5lb/in。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的銅箔基板，其特征在于，所述銅箔基板于12.89GHz的介入損失介于0至-0.42db/in，所述銅箔基板于16GHz的介入損失介于0至-0.52db/in，所述銅箔基板于20GHz的介入損失介于0至-0.63db/in，所述銅箔基板于30GHz的介入損失介于0至-

0.92db/in；所述微粗糙電解銅箔與所述基材之間的剝離強(qiáng)度大于3.9lb/in。

9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的銅箔基板，其特征在于，所述微結(jié)晶簇的平均最大寬度小于5微米；部分的所述微結(jié)晶簇形成有分岔結(jié)構(gòu)；每一個(gè)所述微結(jié)晶簇的平均高度小于1微米；

所述微粗糙電解銅箔的微粗糙表面的Rlr值低于1.06。

10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的銅箔基板，其特征在于，所述基材在1GHz頻率下的Dk值小于

3.8，以及在1GHz頻率下的Df值小于0.002。

說明書： 微粗糙電解銅箔及銅箔基板技術(shù)領(lǐng)域[0001] 本發(fā)明涉及一種銅箔，特別是涉及一種電解銅箔及具有此銅箔的銅箔基板。背景技術(shù)[0002] 隨著資訊和電子產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，高頻高速的訊號(hào)傳輸已成為現(xiàn)代電路設(shè)計(jì)與制造的一環(huán)。電子產(chǎn)品為了能符合高頻高速的訊號(hào)傳輸需求，所采用的銅箔基板在高頻下需要有

良好的介入損失(insertionloss)表現(xiàn)，以防止高頻訊號(hào)在傳遞時(shí)產(chǎn)生過度的損耗。銅箔

基板的介入損失與其表面粗糙度有高度關(guān)聯(lián)。當(dāng)表面粗糙度降低時(shí)，介入損失有較佳的表

現(xiàn)，反之則否。但是降低粗糙度的同時(shí)，也會(huì)導(dǎo)致銅箔與基材間的剝離強(qiáng)度下滑，影響到后

端產(chǎn)品的良率。因此，如何將剝離強(qiáng)度維持在業(yè)界水準(zhǔn)，并提供良好的介入損失表現(xiàn)，已成

為本領(lǐng)域所欲解決的課題。

發(fā)明內(nèi)容[0003] 本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題在于，針對(duì)現(xiàn)有技術(shù)的不足提供一種微粗糙電解銅箔。

[0004] 為了解決上述的技術(shù)問題，本發(fā)明所采用的其中一技術(shù)方案是，提供一種微粗糙電解銅箔。所述微粗糙電解銅箔包括一微粗糙表面。所述微粗糙表面具有多個(gè)凸峰、多個(gè)

型凹槽以及多個(gè)微結(jié)晶簇，兩個(gè)相鄰的所述凸峰界定出一個(gè)型凹槽，所述型凹槽的平均

深度小于1微米，所述微結(jié)晶簇位于所述凸峰頂部，所述微結(jié)晶簇的平均高度小于1.5微米。

所述微粗糙電解銅箔的微粗糙表面的Rlr值低于1.06。

[0005] 優(yōu)選地，每一個(gè)所述微結(jié)晶簇由多個(gè)微結(jié)晶堆疊構(gòu)成，所述微結(jié)晶的平均直徑小于0.5微米，每一個(gè)所述微結(jié)晶簇的平均高度小于1.3微米。

[0006] 優(yōu)選地，每一個(gè)所述微結(jié)晶簇沿其自身高度方向的所述微結(jié)晶平均堆疊數(shù)量是15個(gè)以下；所述微結(jié)晶簇的平均最大寬度小于5微米；部分的所述微結(jié)晶簇形成有分岔結(jié)構(gòu)。

[0007] 優(yōu)選地，每一個(gè)所述微結(jié)晶簇由多個(gè)微結(jié)晶堆疊構(gòu)成，所述微結(jié)晶的平均直徑小于0.5微米，每一個(gè)所述微結(jié)晶簇的平均高度小于1.3微米。

[0008] 優(yōu)選地，所述微粗糙電解銅箔的微粗糙表面的Rlr值低于1.055。[0009] 為了解決上述的技術(shù)問題，本發(fā)明所采用的其中一技術(shù)方案是，提供一種銅箔基板，其包括一基材以及一微粗糙電解銅箔。所述微粗糙電解銅箔包括一貼附在所述基材的

微粗糙表面。所述微粗糙表面形成有多個(gè)凸峰、多個(gè)型凹槽以及多個(gè)微結(jié)晶簇。兩個(gè)相鄰

的所述凸峰界定出一個(gè)型凹槽。所述型凹槽的平均深度小于1微米。所述微結(jié)晶簇位于所

述凸峰頂部。所述微結(jié)晶簇的平均高度小于1.5微米。所述銅箔基板于20GHz的介入損失介

于0至-0.635db/in。所述微粗糙電解銅箔與所述基材間的剝離強(qiáng)度大于3lb/in。

[0010] 優(yōu)選地，所述銅箔基板于30GHz的介入損失介于0至-0.935db/in。[0011] 優(yōu)選地，所述銅箔基板于8GHz的介入損失介于0至-0.31db/in，所述銅箔基板于12.89GHz的介入損失介于0至-0.43db/in，所述銅箔基板于16GHz的介入損失介于0至-

0.53db/in；所述微粗糙電解銅箔與所述基材之間的剝離強(qiáng)度大于3.5lb/in。

[0012] 優(yōu)選地，所述銅箔基板于12.89GHz的介入損失介于0至-0.42db/in，所述銅箔基板于16GHz的介入損失介于0至-0.52db/in，所述銅箔基板于20GHz的介入損失介于0至-

0.63db/in，所述銅箔基板于30GHz的介入損失介于0至-0.92db/in；所述微粗糙電解銅箔與

所述基材之間的剝離強(qiáng)度大于3.9lb/in。

[0013] 優(yōu)選地，所述微結(jié)晶簇的平均最大寬度小于5微米；部分的所述微結(jié)晶簇形成有分岔結(jié)構(gòu)；每一個(gè)所述微結(jié)晶簇的平均高度小于1微米；每一個(gè)所述微結(jié)晶簇由多個(gè)微結(jié)晶堆

疊構(gòu)成，所述微結(jié)晶的平均直徑小于0.5微米；所述微粗糙電解銅箔的微粗糙表面的Rlr值

低于1.06。

[0014] 優(yōu)選地，所述基材在1GHz頻率下的Dk值小于3.8，以及在1GHz頻率下的Df值小于0.002。

[0015] 本發(fā)明的其中一有益效果在于，微粗糙表面與基材之間有良好的接合力，且在高頻下的介入損失有良好的表現(xiàn)，能夠有效地抑制訊號(hào)傳送時(shí)的損耗。

[0016] 為使能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征及技術(shù)內(nèi)容，請(qǐng)參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明與附圖，然而所提供的附圖僅用于提供參考與說明，并非用來對(duì)本發(fā)明加以限制。

附圖說明[0017] 圖1為側(cè)視示意圖，說明本發(fā)明銅箔基板的其中一實(shí)施態(tài)樣。[0018] 圖2為圖1的II部分的放大示意圖。[0019] 圖3為示意圖，說明微粗糙電解銅箔的生產(chǎn)設(shè)備。[0020] 圖4為掃描式電子顯微鏡圖，說明實(shí)施例1微粗糙電解銅箔的表面形態(tài)。[0021] 圖5為掃描式電子顯微鏡圖，說明實(shí)施例1微粗糙電解銅箔的截面形態(tài)。[0022] 圖6為掃描式電子顯微鏡圖，說明比較例3的銅箔表面形態(tài)。[0023] 圖7為掃描式電子顯微鏡圖，說明比較例3的銅箔截面形態(tài)。[0024] 圖8為掃描式電子顯微鏡圖，說明比較例4的銅箔表面形態(tài)。[0025] 圖9為掃描式電子顯微鏡圖，說明比較例4的銅箔截面形態(tài)。具體實(shí)施方式[0026] 以下是通過特定的具體實(shí)例來說明本發(fā)明所公開有關(guān)“微粗糙電解銅箔及銅箔基板”的實(shí)施方式，本領(lǐng)域技術(shù)人員可由本說明書所公開的內(nèi)容了解本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)與效果。本

發(fā)明可通過其他不同的具體實(shí)施例加以施行或應(yīng)用，本說明書中的各項(xiàng)細(xì)節(jié)也可基于不同

觀點(diǎn)與應(yīng)用，在不悖離本發(fā)明的構(gòu)思下進(jìn)行各種修改與變更。另外，本發(fā)明的附圖僅為簡(jiǎn)單

示意說明，并非依實(shí)際尺寸的描繪，事先聲明。以下的實(shí)施方式將進(jìn)一步詳細(xì)說明本發(fā)明的

相關(guān)技術(shù)內(nèi)容，但所公開的內(nèi)容并非用以限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。

[0027] 參閱圖1，本發(fā)明銅箔基板1，包括一基材11以及二片微粗糙電解銅箔12。微粗糙電解銅箔12分別貼合在基材11的兩相反側(cè)。值得一提的是，銅箔基板1也可以僅包括一片微粗

糙電解銅箔12。

[0028] 基材11較佳是具有低Dk值及低Df值，以抑制介入損失(insertionloss)。較佳地，所述基材11在1GHz頻率下的Dk值小于4且在1GHz頻率下的Df值小于0.003，更佳地，所述基

材11在1GHz頻率下的Dk值小于3.8且在1GHz頻率下的Df值小于0.002。

[0029] 基材11可采用預(yù)浸片含浸合成樹脂再固化而成的復(fù)合材料。預(yù)浸片可例舉如：酚醛棉紙、棉紙、樹脂制纖維布、樹脂制纖維不織布、玻璃板、玻璃織布，或玻璃不織布。合成樹

脂可例舉如：環(huán)氧樹脂、聚酯樹脂、聚酰亞胺樹脂、氰酸酯樹脂、雙馬來酰亞胺三嗪樹脂、聚

苯醚樹脂，或酚樹脂。合成樹脂層可以是單層或多層，并沒有一定的限制?；?1可選自但

不限于EM891、IT958G、IT150DA、S7439G、MEGTRON4、MEGTRON6，或MEGTRON7。

[0030] 參閱圖1及圖2，微粗糙電解銅箔12是對(duì)銅箔表面以電解法進(jìn)行粗糙化處理而得。電解法粗糙化處理可對(duì)銅箔的任一表面進(jìn)行處理，因此，微粗糙電解銅箔12具有位于至少

一側(cè)的微粗糙表面121。在本發(fā)明的其中一實(shí)施態(tài)樣中，是取極低粗糙度銅箔(eryLow

Profile、LP)作為生箔，而后對(duì)其粗糙面進(jìn)一步執(zhí)行粗糙化處理而得。

[0031] 微粗糙表面121用來貼附在基材11，其包括多個(gè)凸峰122、多個(gè)型凹槽123以及多個(gè)微結(jié)晶簇124。兩個(gè)相鄰的凸峰122界定出一個(gè)型凹槽123。型凹槽123的平均深度小于

1.5微米，較佳是小于1.3微米，更佳是小于1微米。型凹槽123的平均寬度小于1.5微米，較

佳是小于1.3微米，更佳是小于1微米。

[0032] 微結(jié)晶簇124的平均高度小于1.5微米，較佳是小于1.3微米，更佳是小于1微米。前述的平均高度是指微結(jié)晶簇124頂部至凸峰122頂部的距離。微結(jié)晶簇124的平均最大寬度

小于5微米，較佳是小于3微米。每一個(gè)微結(jié)晶簇124是由多個(gè)微結(jié)晶125堆疊構(gòu)成，且微結(jié)晶

125的平均直徑小于0.5微米，較佳是介于0.05至0.5微米，更佳是介于0.1至0.4微米。每一

個(gè)微結(jié)晶簇124沿其自身高度方向的微結(jié)晶125平均堆疊數(shù)量是15個(gè)以下，較佳是13個(gè)以

下，更佳是10個(gè)以下，又更佳是8個(gè)以下。微結(jié)晶125在堆疊成微結(jié)晶簇124時(shí)，可以迭成塔狀

結(jié)構(gòu)，也可以向外延伸而呈現(xiàn)分岔結(jié)構(gòu)。

[0033] 微結(jié)晶簇124彼此間的排列方式并沒有一定，可以是無序的排列，也可以是大致沿著相同的方向排列，或者是以數(shù)個(gè)微結(jié)晶簇124排成一列且每列的延伸方向部分相同。

[0034] 微粗糙電解銅箔12的微粗糙表面121平均粗糙度Rz較佳是大于0.5微米，更佳是大于1.0微米，又更佳是大于1.2微米。當(dāng)微粗糙表面121的平均粗糙度Rz符合前述范圍時(shí)，就

能與基材11間有良好的接合力表現(xiàn)，也就是說，當(dāng)提高平均粗糙度Rz即可有效提高與基材

11間的接合力，使得剝離強(qiáng)度(Peelstrength)有效提高。較佳地，微粗糙電解銅箔12與基

材11間的剝離強(qiáng)度大于3lb/in，較佳地是大于3.2lb/in，更佳地是大于3.5lb/in，又更佳地

是大于3.7lb/in。因?yàn)樵谡澈嫌诨?1時(shí)，涂覆在微粗糙表面上的粘膠會(huì)滲入到型凹槽

123及微結(jié)晶簇124的底部，所以黏合至基板11后能夠有效提高剝離強(qiáng)度。

[0035] 通過前述微粗糙表面121的形態(tài)，微粗糙電解銅箔12與基材11間能具有足夠的剝離強(qiáng)度，并且還能有效地抑制訊號(hào)傳送時(shí)的損耗。微粗糙表面121的Rlr值低于1.06，較佳地

是低于1.055，更佳地是低于1.05。所述的Rlr值是指展開長(zhǎng)度比，也就是待測(cè)物在一單位長(zhǎng)

度之中的表面輪廓長(zhǎng)度比。數(shù)值越高代表表面愈加崎嶇，當(dāng)數(shù)值等于1時(shí)，代表完全平整。

Rlr滿足關(guān)系式Rlr＝Rlo/L。其中，Rlo是指被測(cè)的輪廓長(zhǎng)度，L是指被測(cè)的距離。

[0036] 當(dāng)微粗糙電解銅箔12具有前述的Rlr值時(shí)，銅箔基板1會(huì)有較佳的介入損失表現(xiàn)。銅箔基板1在8GHz時(shí)的介入損失介于0至-0.31db/in，更佳是介于0至-0.305db/in。銅箔基

板1在12.89GHz的介入損失介于0至-0.43db/in，更佳是介于0至-0.42db/in，又更佳地是介

于0至-0.41db/in。銅箔基板1在16GHz的介入損失介于0至-0.53db/in，更佳地是介于0至-

0.52db/in，又更佳地是介于0至-0.51db/in。銅箔基板1在20GHz的介入損失介于0至-

0.635db/in，較佳地是介于0至-0.63db/in，更佳地是介于0至-0.62db/in，又更佳地是介于

0至-0.61db/in，再更佳地是介于0至-0.6db/in。銅箔基板1在25GHz時(shí)的介入損失介于0至-

0.78db/in，更佳是介于0至-0.77db/in，又更佳是介于0至-0.76db/in，再更佳地是介于0

至-0.74db/in。銅箔基板1在30GHz時(shí)的介入損失介于0至-0.935db/in，更佳是介于0至-

0.92db/in，又更佳是介于0至-0.90db/in，再更佳地是介于0至-0.88db/in。本發(fā)明的微粗

糙電解銅箔12在高頻下，特別是在16GHz以上的范圍中，能夠有效地抑制訊號(hào)傳送時(shí)的損

耗。

[0037] [微粗糙電解銅箔制作方法][0038] 微粗糙電解銅箔12是將生箔浸入含銅鍍液后，在一定的時(shí)間下進(jìn)行電解粗糙化處理。本發(fā)明的實(shí)施態(tài)樣中，是取極低粗糙度銅箔(LP)作為生箔，并對(duì)其粗糙面進(jìn)行電解粗

糙化處理。電解粗糙化處理可采用任何熟知的設(shè)備來進(jìn)行，例如：連續(xù)式電解設(shè)備，或批次

式電解設(shè)備。

[0039] 含銅鍍液內(nèi)含有銅離子、酸，以及金屬添加劑。銅離子來源可例舉如硫酸銅、硝酸銅，或其等的組合。酸可例舉如硫酸、硝酸，或其等的組合。金屬添加劑可例舉如鈷、鐵、鋅，

或其等的組合。此外，含銅鍍液還可以進(jìn)一步添加熟知的添加劑，例如：明膠、有機(jī)氮化物、

羥乙基纖維素(hydroxyethylcellulose；HEC)、聚乙二醇(Poly(ethyleneglycol)、PEG)、

3-巰基-1-丙烷磺酸鈉(Sodium3-mercaptopropanesulphonate、MPS)、聚二硫二丙烷磺酸

鈉(Bis-(sodiumsulfopropyl)-disulfide、SPS)，或硫脲基化合物，但并不以此為限。

[0040] 粗糙化處理的次數(shù)是至少二次，每一次粗糙化處理中的含銅鍍液的組成可以相同或不同。在本發(fā)明的其中一實(shí)施態(tài)樣中，是采用兩組含銅鍍液交替進(jìn)行粗糙化處理，且第一

組含銅鍍液的銅離子濃度較佳是介于10至30g/l、酸濃度較佳是介于70至100g/l，且金屬添

加劑的添加量較佳是150至300mg/l。而第二組含銅鍍液的銅離子濃度較佳是介于70至

100g/l、酸濃度較佳是介于30至60g/l，且金屬添加劑的添加量較佳是15至100mg/l。

[0041] 電解的供電方法可采用定電壓、定電流、脈沖型波形，或鋸型波形，但不限于此。在本發(fā)明的其中一實(shí)施態(tài)樣中，粗糙化處理是先采用第一組含銅鍍液以定電流18至40A/m2進(jìn)

行處理，而后再以第二組含銅鍍液以定電流以定電流2.2至5A/m2進(jìn)行處理。較佳地，第一組

含銅鍍液以定電流20至33A/m2進(jìn)行處理，而第二組含銅鍍液以定電流以定電流2.27至3A/m2

進(jìn)行處理。需注意的是，前述定電流也能以脈沖型波形或鋸型波形進(jìn)行供電。此外，如要采

用定電壓進(jìn)行供電，則須確保在各粗糙化處理的階段中施加的電壓值使電流值落于前述范

圍內(nèi)。

[0042] 當(dāng)粗糙化處理的次數(shù)為三次以上時(shí)，能夠采用前述第一組及第二組含銅鍍液交替2

使用來進(jìn)行粗糙化處理。電流值控制在介于10至16A/m。在本發(fā)明的其中一實(shí)施態(tài)樣中，第

三次及第四次粗糙化處理分別采用第一組含銅鍍液及第二組含銅鍍液，且電流值控制在介

于13至15A/m2。第五次以后的粗糙化處理的電流值控制在小于5A/m2，較佳地是逐次遞減。需

注意的是，前述定電流也能以脈沖型波形或鋸型波形進(jìn)行供電。此外，如果要采用定電壓進(jìn)

行供電，則須確保在各粗糙化處理的階段中施加的電壓值讓電流值落于前述范圍內(nèi)。

[0043] 值得一提的是，微粗糙表面121的微結(jié)晶簇124排列方式及型凹槽123延伸方向可通過含銅鍍液的流場(chǎng)來進(jìn)行控制。當(dāng)不施加流場(chǎng)或形成紊流，即可使微結(jié)晶簇124間呈現(xiàn)無

序排列；而當(dāng)控制流場(chǎng)使其在銅箔表面沿著特定方向流動(dòng)，就會(huì)形成有大致沿著相同的方

向排列的結(jié)構(gòu)。然而，控制微結(jié)晶簇124排列方式及型凹槽123延伸方向的方式不以此為限

制，也可以采用鋼刷預(yù)先刻出刮痕來形成不定向的型凹槽123，制造者能采用任何熟知的

方式進(jìn)行調(diào)整。

[0044] 本發(fā)明的其中一較佳實(shí)施態(tài)樣中，采用多槽及多電解輥的連續(xù)式電解設(shè)備進(jìn)行粗糙化處理。其中，各個(gè)槽內(nèi)交替容裝第一組含銅鍍液及第二組含銅鍍液。供電方法采用定電

流。生產(chǎn)速度控制在5至20m/min。生產(chǎn)溫度控制在20至60℃。

[0045] 需注意的是，前述微粗糙電解銅箔制作方法也可以用于處理高溫延展銅箔(HighTemperatureElongation，HTE)及反轉(zhuǎn)銅箔(ReverseTreatedCopper，RTF)。當(dāng)對(duì)高溫延

展銅箔銅箔的光澤面進(jìn)行電解粗糙化處理后，即可獲得。

[0046] 以上已將銅箔基板1的各層結(jié)構(gòu)及制造方法進(jìn)行說明，以下將以實(shí)施例1至3為例示，并與比較例1至4相比較，以說明本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。

[0047] [實(shí)施例1][0048] 參閱圖3，微粗糙電解銅箔是采用連續(xù)式電解設(shè)備2進(jìn)行粗糙化處理。連續(xù)式電解設(shè)備2包括一個(gè)輸料輥21、一個(gè)集料輥22、六個(gè)位在輸料輥21與集料輥22間的槽23、六個(gè)分

別放置在槽23上方的電解輥組24，以及六個(gè)分別位于槽23內(nèi)的輔助輥組25。每一個(gè)槽23內(nèi)

設(shè)有一組白金電極231。每一個(gè)電解輥組24包括二個(gè)電解輥241。每一個(gè)輔助輥組25包括二

個(gè)輔助輥251。每一個(gè)槽23內(nèi)的白金電極231與對(duì)應(yīng)的電解輥組24分別電性連接到外部電源

供應(yīng)器的陽極及陰極。

[0049] 在本實(shí)施例1中，采用極低粗糙度銅箔(LP)作為生箔，其購(gòu)自金居開發(fā)有限公司(型號(hào)L410)。生箔收卷于輸料輥21，后依序繞行于電解輥組24及輔助輥組25，再卷收于集

料輥22。各槽23內(nèi)的含銅鍍液組分及電鍍條件如表1所示，其中，銅離子的來源是硫酸銅。極

低粗糙度銅箔由第一槽至第六槽依序?qū)ι拇植诿孢M(jìn)行粗糙化處理，生產(chǎn)速度是10m/

min，最后獲得粗糙度Rz為1.29微米的微粗糙電解銅箔。而后，取二片微粗糙電解銅箔與一

片基材MEGTRON7貼合，即完成制作。

[0050] 本實(shí)施例1以掃描式電子顯微鏡觀測(cè)其表面及截面結(jié)構(gòu)，分別顯示于圖4及圖5。[0051] 本實(shí)施例1微粗糙電解銅箔的剝離強(qiáng)度，是先于微粗糙表面上涂覆銅硅烷偶合劑并粘合至基材MEGTRON7。固化后，再依照IPC-TM-6504.6.8測(cè)試方法來進(jìn)行測(cè)量。測(cè)試結(jié)

果列于表2。

[0052] 本實(shí)施例1微粗糙電解銅箔的Rlr值，是采用形狀量測(cè)雷射顯微鏡(廠商：Keyence，型號(hào)：K-X100)進(jìn)行量測(cè)。測(cè)試結(jié)果列于表2。

[0053] 本實(shí)施例1微粗糙電解銅箔的介入損失，使用Micro-stripline(特性阻抗50Ω)的方法進(jìn)行測(cè)試，并分別于頻率4GHz、8GHz、12.89GHz、16GHz、20GHz、25GHz，及30GHz下進(jìn)行

檢測(cè)。測(cè)試結(jié)果列于表2。

[0054] [實(shí)施例2及3][0055] 生箔、電解設(shè)備及含銅鍍液組分與實(shí)施例1相同，電鍍條件如表1所示，生產(chǎn)速度是10m/min。而后，取二片微粗糙電解銅箔與一片基材MEGTRON7貼合，即完成制作。量測(cè)方式

與實(shí)施例1相同，測(cè)試結(jié)果列于表2。

[0056] [比較例1及2][0057] 生箔、電解設(shè)備及含銅鍍液組分與實(shí)施例1相同，電鍍條件如表1所示，生產(chǎn)速度是10m/min。而后，取二片微粗糙電解銅箔與一片基材MEGTRON7貼合，即完成制作。量測(cè)方式

與實(shí)施例1相同，測(cè)試結(jié)果列于表3。

[0058] [比較例3][0059] 采用福田金屬箔粉業(yè)有限公司所產(chǎn)的極低粗糙度銅箔(型號(hào)：CF-T4X-S，下稱CF-T4X-S銅箔)，以掃描式電子顯微鏡圖觀測(cè)其表面及截面結(jié)構(gòu)，分別顯示于圖6及圖7。將二

片CF-T4X-S銅箔與一片基材MEGTRON7貼合后，量測(cè)其剝離強(qiáng)度、Rlr，以及介入損失，測(cè)試

結(jié)果列于表3。

[0060] [比較例4][0061] 采用中國(guó)臺(tái)灣銅箔股份有限公司所產(chǎn)的極低粗糙度銅箔(型號(hào)：HS1-M2-SP，下稱HS1-M2-SP銅箔)，以掃描式電子顯微鏡圖觀測(cè)其表面及截面結(jié)構(gòu)，分別顯示于圖8及圖9。

將二片HS1-M2-SP銅箔與一片基材MEGTRON7貼合后，量測(cè)其剝離強(qiáng)度、Rlr，以及介入損

失，測(cè)試結(jié)果列于表3。

[0062] 表1[0063][0064] 參閱圖4及圖5，實(shí)施例1的微粗糙表面是由多數(shù)粒徑小于0.5微米的粒子堆疊而成微結(jié)晶簇，且微結(jié)晶簇彼此間有顯見的間隔。由截面圖可知，微粗糙表面包括多數(shù)個(gè)相間隔

且深度小于0.6微米的型凹槽。微結(jié)晶簇并非均勻地分布，多集中在凸峰頂部，也就是集中

在型凹槽與型凹槽之間。

[0065] 參閱圖6及圖7，CF-T4X-S銅箔的表面，是由多數(shù)粒徑大于1微米的微結(jié)晶均勻地披覆，且微結(jié)晶沒有相互聚集形成簇狀。由截面圖得知，微結(jié)晶均勻地分布在表面，并沒有

集中在特定的位置。此外，微結(jié)晶的平均高度大于1.5微米。

[0066] 參閱圖8及圖9，HS1-M2-SP銅箔表面是由多數(shù)粒徑大于0.5微米的結(jié)晶均勻地披覆，且大部分的結(jié)晶彼此分散，少數(shù)聚集成簇。由截面圖得知，結(jié)晶彼此有明顯的間距，且也

是均勻地分布在表面，并沒有集中在特定的位置。此外，微結(jié)晶的高度介于1至2微米。

[0067] 表2[0068][0069] 表3[0070][0071] 參閱表2及表3，在剝離強(qiáng)度的表現(xiàn)上，實(shí)施例1至3的剝離強(qiáng)度至少為3.96lb/in，介于市售銅箔(比較例3、4)之間，且大于業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)3lb/in至少32％。由此可見，本發(fā)明微粗

糙電解銅箔與基材有良好的接合力，有利于后續(xù)制程的進(jìn)行，并維持產(chǎn)品良率。

[0072] 關(guān)于介入損失的表現(xiàn)，實(shí)施例1至3在頻率8GHz至30GHz之間的介入損失，大體上都優(yōu)于比較例1至4。值得一提的是，在12.89GHz以上的高頻范圍，本發(fā)明有較商用品(比較例

3、4)更為良好的介入損失表現(xiàn)。值得一提的是，通過控制微粗糙表面的表面形態(tài)以及將Rlr

值調(diào)整至小于1.059，明顯可抑制銅箔基板在高頻的訊號(hào)損失。此外，當(dāng)Rlr值越低，可發(fā)現(xiàn)

具有更進(jìn)一步地降低訊號(hào)損失的效果。

[0073] 由上述可知，本發(fā)明的微粗糙電解銅箔在維持良好的剝離強(qiáng)度下，進(jìn)一步優(yōu)化了介入損失的表現(xiàn)，能有效地抑制訊號(hào)損耗。

[0074] 以上所公開的內(nèi)容僅為本發(fā)明的優(yōu)選可行實(shí)施例，并非因此局限本發(fā)明的權(quán)利要求書的保護(hù)范圍，所以凡是運(yùn)用本發(fā)明說明書及附圖內(nèi)容所做的等效技術(shù)變化，均包含于

本發(fā)明的權(quán)利要求書的保護(hù)范圍內(nèi)。