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      氮化硅陶瓷薄片及其制備工藝

      301   編輯:中冶有色技術網(wǎng)   來源:福建臻璟新材料科技有限公司  
      2024-12-05 16:29:41
      權利要求

      1.一種氮化硅陶瓷薄片,其特征在于:包括陶瓷薄片,所述陶瓷薄片頂部設有涂層結構,所述涂層結構包括涂覆于陶瓷薄片上的過渡層,過渡層另一面涂覆有功能層,所述功能層另一面涂覆保護層;

      過渡層為氧化鋁,功能層為碳化硅,保護層為氮化鈦。

      2.一種氮化硅陶瓷薄片的制備工藝,用于制備權利要求1所述的一種氮化硅陶瓷薄片,其特征在于:步驟如下:

      S1原材料準備:氮化硅粉末、氧化鎂燒結助劑、聚乙烯醇分散劑、聚乙烯吡咯烷酮粘結劑和潤滑劑;

      S2配料與混合:將氮化硅粉末與燒結助劑混合,使用球磨機對原料進行濕法球磨,球磨時間在12-24小時,加入適量的分散劑、粘結劑和潤滑劑;

      S3成型:使用膠帶鑄造法,將混合后的漿料均勻涂布在基板上,形成陶瓷薄片,成型后的薄片厚度為100-500 μm,成型后的薄片在干燥箱中進行干燥,并且配合表面處理裝置進行完成,溫度控制在80℃,確保水分蒸發(fā);

      S4脫脂與預燒結:將干燥后的陶瓷坯體在200-400°C下進行脫脂處理,去除有機添加劑,隨后,在大氣環(huán)境中進行預燒結,溫度控制在800-1200°C,預燒結時間為2-4小時;

      S5高溫燒結:采用熱壓燒結,燒結溫度控制在1700-1900°C,燒結時間為2-6小時,高溫燒結過程需要保持氮氣保護,燒結后的陶瓷薄片達到高密度,孔隙率低于1%;

      S6后續(xù)加工:對燒結后的陶瓷薄片進行表面研磨和拋光處理,配合表面處理裝置進行完成,確保薄片表面粗糙度小于0.5 μm,最后采用激光設備將薄片進行裁切;

      S7涂層結構的制備:

      S701底層涂覆:過渡層,選擇氧化鋁,采用溶膠-凝膠法,將鋁異丙醇溶于醇類溶劑中,調節(jié)pH值后生成溶膠,接著將溶膠均勻涂布在氮化硅薄片表面,涂層厚度為100-200 nm,然后在80°C下干燥,然后在500-700°C進行退火;

      S702中間層涂覆:功能層,選用碳化硅,采用物理氣相沉積方法,在真空環(huán)境下進行材料蒸發(fā)沉積,將中間功能層均勻沉積在底層涂層之上,厚度控制在1-10 μm;

      S703表面保護層涂覆:使用氮化鈦,采用磁控濺射沉積工藝,在真空室中進行磁控濺射,將氮化鈦沉積在中間功能層上,形成厚度為500 nm-1 μm的保護層,沉積完成后,進行熱處理,溫度控制在400-600°C;

      S8熱處理與退火:所有涂層沉積完成后,將涂層結構置于惰性氣氛中進行熱處理,溫度控制在500-700°C,持續(xù)時間1-2小時,助于涂層的致密化及各層間的結合。

      3.根據(jù)權利要求2所述一種氮化硅陶瓷薄片的制備工藝,其特征在于:所述表面處理裝置包括固定箱、設于固定箱左前端的活動門、設于固定箱內下端的調位機構、設于固定箱頂部且連接調位機構的第一電機以及設于調位機構底部的接觸處理機構。

      4.根據(jù)權利要求3所述一種氮化硅陶瓷薄片的制備工藝,其特征在于:所述調位機構包括設于固定箱內下端的基板、設于基板左上方且連接第一電機輸出軸的轉動軸、設于轉動軸外側上下兩端的支塊、設于轉動軸外側下端的轉動件、與轉動件另一端進行鉸接的連桿、鉸接于連桿另一端的拉桿、設于拉桿和連桿鉸接位置中部的連接件、螺紋連接于連接件和轉動軸下端的螺桿、與拉桿另一端進行鉸接的滑動件、設于滑動件底部的銜接件、設于滑動件頂部且底部推出桿連接銜接件的氣缸、貫穿滑動件后端上下位置的導桿以及與導桿兩側進行固定且底部固定在基板頂部的支座。

      5.根據(jù)權利要求4所述一種氮化硅陶瓷薄片的制備工藝,其特征在于:所述基板底部開設有條形槽,銜接件底部貫穿條形槽后連接接觸處理機構。

      6.根據(jù)權利要求5所述一種氮化硅陶瓷薄片的制備工藝,其特征在于:所述支塊左側通過支架固定在固定箱內側。

      7.根據(jù)權利要求5所述一種氮化硅陶瓷薄片的制備工藝,其特征在于:所述接觸處理機構包括連接銜接件的銜接板、設于銜接板右側的第二電機、設于銜接板底部四端的支桿、連接支桿底部的支撐件、設于支撐件底部的導向件、設于導向件底部的隨動接觸件、連接第二電機輸出軸的主動帶輪、設于主動帶輪外側的同步帶、連接同步帶另一端的從動帶輪、設于從動帶輪內側的支臂、設于支臂右端滑動塊以及連接滑動塊頂部的連接架,所述連接架內側下端與接觸件進行固定,所述支撐件底端中部凸出,凸出位置活動嵌入有導向件,兩者相匹配,所述導向件底部則通過相同方式匹配隨動接觸件,但兩組匹配位置交錯。

      8.根據(jù)權利要求7所述一種氮化硅陶瓷薄片的制備工藝,其特征在于:所述滑動塊底部呈凸出狀,并且滑動塊頂部連接連接架,所述支撐件頂端中部開設有方形狀的滑槽,所述滑槽內側四角呈倒角狀,所述滑動塊凸出位置活動嵌入至滑槽內。

      9.根據(jù)權利要求8所述一種氮化硅陶瓷薄片的制備工藝,其特征在于:所述隨動接觸件包括頂部與導向件相匹配的箱體、開設于箱體底部兩端的噴口、設于箱體前端的兩組接入口、設于箱體內中部的接觸輥以及設于箱體左側且連接接觸輥的第三電機,所述噴口與兩組所述接入口相通。

      10.根據(jù)權利要求9所述一種氮化硅陶瓷薄片的制備工藝,其特征在于:所述接觸輥上端嵌入有打磨件,所述接觸輥底部嵌入刮平件,所述接觸輥中部設置有轉軸,所述轉軸左側貫穿箱體連接第三電機輸出軸。

      說明書

      技術領域

      [0001]本發(fā)明涉及氮化硅陶瓷薄片相關領域,尤其涉及一種氮化硅陶瓷薄片及其制備工藝。

      背景技術

      [0002]氮化硅陶瓷薄片是由氮化硅材料制成的薄片,具有優(yōu)異的機械性能、耐高溫、耐腐蝕和良好的熱導性。其硬度高、強度大,重量輕,廣泛應用于電子、航空航天、汽車和制造業(yè)中,特別適用于高溫環(huán)境下的結構件、絕緣材料以及半導體制造中的支撐和隔離層等場合。氮化硅陶瓷薄片還能在高溫下保持良好的電絕緣性能和耐磨性。

      [0003]中國專利申請?zhí)枺篊N202111518751.9的一種原位聚合成型氮化硅陶瓷薄片的制備工藝,生產步驟包括一種或數(shù)種液體丙烯酸單體,一種或數(shù)種小分子量低粘度的液體環(huán)氧樹脂,和適當比例的自由基引發(fā)劑在常溫下混合均勻,然后將高純度的微納米級的氮化硅粉體,分散劑,無機燒結助劑一起加入,在行星混合機或螺桿捏合機中徹底混合均勻,本發(fā)明的原位聚合成型氮化硅生產工藝,該工藝不使用有機溶劑,無烘干排放過程,利用液體丙烯酸酯單體和低分子量環(huán)氧樹脂作為分散介質、能耗小、速度快,設備占地面積小,制造的生胚片尺寸精確,缺陷少,成品率高。

      [0004]上述專利和現(xiàn)有技術在實際過程中,存在以下問題:對于制備出的氮化硅陶瓷薄片的防護性較弱,添加涂層,功能性較單一,導致使用過程中容易損壞等問題出現(xiàn);并且在加工過程中,需要人工手動進行刮平以及后處理打磨,較為耗費人力,導致工作效率降低。

      發(fā)明內容

      [0005]因此,為了解決上述不足,本發(fā)明提供一種氮化硅陶瓷薄片及其制備工藝。

      [0006]為了實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明采取以下技術方案:一種氮化硅陶瓷薄片及其制備工藝,包括陶瓷薄片,所述陶瓷薄片頂部設有涂層結構,所述涂層結構包括涂覆于陶瓷薄片上的過渡層,過渡層另一面涂覆有功能層,所述功能層另一面涂覆保護層;過渡層為氧化鋁,功能層為碳化硅,保護層為氮化鈦。

      [0007]優(yōu)選的,步驟如下:

      [0008]S1原材料準備:氮化硅粉末、氧化鎂燒結助劑、聚乙烯醇分散劑、聚乙烯吡咯烷酮粘結劑和潤滑劑;

      [0009]S2配料與混合:將氮化硅粉末與燒結助劑混合,使用球磨機對原料進行濕法球磨,球磨時間在12-24小時,加入適量的分散劑、粘結劑和潤滑劑;

      [0010]S3成型:使用膠帶鑄造法,將混合后的漿料均勻涂布在基板上,形成陶瓷薄片,成型后的薄片厚度為100-500 μm,成型后的薄片在干燥箱中進行干燥,并且配合表面處理裝置進行完成,溫度控制在80℃,確保水分蒸發(fā);

      [0011]S4脫脂與預燒結:將干燥后的陶瓷坯體在200-400°C下進行脫脂處理,去除有機添加劑,隨后,在大氣環(huán)境中進行預燒結,溫度控制在800-1200°C,預燒結時間為2-4小時;

      [0012]S5高溫燒結:采用熱壓燒結,燒結溫度控制在1700-1900°C,燒結時間為2-6小時,高溫燒結過程需要保持氮氣保護,燒結后的陶瓷薄片達到高密度,孔隙率低于1%;

      [0013]S6后續(xù)加工:對燒結后的陶瓷薄片進行表面研磨和拋光處理,配合表面處理裝置進行完成,確保薄片表面粗糙度小于0.5 μm,最后采用激光設備將薄片進行裁切;

      [0014]S7涂層結構的制備:

      [0015]S701底層涂覆:過渡層,選擇氧化鋁,采用溶膠-凝膠法,將鋁異丙醇溶于醇類溶劑中,調節(jié)pH值后生成溶膠,接著將溶膠均勻涂布在氮化硅薄片表面,涂層厚度為100-200nm,然后在80°C下干燥,然后在500-700°C進行退火;

      [0016]S702中間層涂覆:功能層,選用碳化硅,采用物理氣相沉積方法,在真空環(huán)境下進行材料蒸發(fā)沉積,將中間功能層均勻沉積在底層涂層之上,厚度控制在1-10 μm;

      [0017]S703表面保護層涂覆:使用氮化鈦,采用磁控濺射沉積工藝,在真空室中進行磁控濺射,將氮化鈦沉積在中間功能層上,形成厚度為500 nm-1 μm的保護層,沉積完成后,進行熱處理,溫度控制在400-600°C;

      [0018]S8熱處理與退火:所有涂層沉積完成后,將涂層結構置于惰性氣氛中進行熱處理,溫度控制在500-700°C,持續(xù)時間1-2小時,助于涂層的致密化及各層間的結合。

      [0019]優(yōu)選的,所述表面處理裝置包括固定箱、設于固定箱左前端的活動門、設于固定箱內下端的調位機構、設于固定箱頂部且連接調位機構的第一電機以及設于調位機構底部的接觸處理機構。

      [0020]優(yōu)選的,所述調位機構包括設于固定箱內下端的基板、設于基板左上方且連接第一電機輸出軸的轉動軸、設于轉動軸外側上下兩端的支塊、設于轉動軸外側下端的轉動件、與轉動件另一端進行鉸接的連桿、鉸接于連桿另一端的拉桿、設于拉桿和連桿鉸接位置中部的連接件、螺紋連接于連接件和轉動軸下端的螺桿、與拉桿另一端進行鉸接的滑動件、設于滑動件底部的銜接件、設于滑動件頂部且底部推出桿連接銜接件的氣缸、貫穿滑動件后端上下位置的導桿以及與導桿兩側進行固定且底部固定在基板頂部的支座。

      [0021]優(yōu)選的,所述基板底部開設有條形槽,銜接件底部貫穿條形槽后連接接觸處理機構。

      [0022]優(yōu)選的,所述支塊左側通過支架固定在固定箱內側。

      [0023]優(yōu)選的,所述接觸處理機構包括連接銜接件的銜接板、設于銜接板右側的第二電機、設于銜接板底部四端的支桿、連接支桿底部的支撐件、設于支撐件底部的導向件、設于導向件底部的隨動接觸件、連接第二電機輸出軸的主動帶輪、設于主動帶輪外側的同步帶、連接同步帶另一端的從動帶輪、設于從動帶輪內側的支臂、設于支臂右端滑動塊以及連接滑動塊頂部的連接架,所述連接架內側下端與接觸件進行固定,所述支撐件底端中部凸出,凸出位置活動嵌入有導向件,兩者相匹配,所述導向件底部則通過相同方式匹配隨動接觸件,但兩組匹配位置交錯。

      [0024]優(yōu)選的,所述滑動塊底部呈凸出狀,并且滑動塊頂部連接連接架,所述支撐件頂端中部開設有方形狀的滑槽,所述滑槽內側四角呈倒角狀,所述滑動塊凸出位置活動嵌入至滑槽內。

      [0025]優(yōu)選的,所述隨動接觸件包括頂部與導向件相匹配的箱體、開設于箱體底部兩端的噴口、設于箱體前端的兩組接入口、設于箱體內中部的接觸輥以及設于箱體左側且連接接觸輥的第三電機,所述噴口與兩組所述接入口相通。

      [0026]優(yōu)選的,所述接觸輥上端嵌入有打磨件,所述接觸輥底部嵌入刮平件,所述接觸輥中部設置有轉軸,所述轉軸左側貫穿箱體連接第三電機輸出軸。

      [0027]本發(fā)明的有益效果:

      [0028]本發(fā)明通過陶瓷薄片頂部涂覆有涂層結構,涂層結構中同時引入導電、導熱和抗磨功能,并采用合理的多層設計來優(yōu)化各層的匹配性,氧化鋁作為底層,能增強涂層與氮化硅陶瓷基體的附著力,并提供高硬度和耐腐蝕性;碳化硅作為中間層,具備出色的導熱性和耐高溫性能,提升材料的熱管理能力;氮化鈦作為表面層,具有優(yōu)異的抗磨損、抗氧化和抗腐蝕特性,確保涂層在苛刻環(huán)境下的長期穩(wěn)定性和耐用性,這種多層涂層結構的組合極大增強了氮化硅陶瓷的功能性和耐久性。

      [0029]本發(fā)明通過在薄片干燥和后處理打磨過程中采用表面處理裝置完成,表面處理裝置內置有接觸處理機構,接觸處理機構內部設置有可切換的打磨件和刮平件,配合外部熱風和供水設備,配合機構內部的傳動組件進行高效的刮平和打磨,并且接觸處理機構頂部連接調位機構,調位機構可帶著接觸處理機構進行左右往復運動,并且運動速度可進行調節(jié),輔助表面處理效果好,節(jié)省人工操作,有效提高工作效率。

      附圖說明

      [0030]圖1是本發(fā)明結構示意圖;

      [0031]圖2是本發(fā)明表面處理裝置結構示意圖;

      [0032]圖3是本發(fā)明調位機構結構示意圖;

      [0033]圖4是本發(fā)明接觸處理機構結構示意圖;

      [0034]圖5是本發(fā)明支撐件連接結構示意圖;

      [0035]圖6是本發(fā)明隨動接觸件結構示意圖;

      [0036]圖7是本發(fā)明接觸輥結構示意圖。

      [0037]其中:陶瓷薄片-a、涂層結構-b、過渡層-b1、功能層-b2、保護層-b3、固定箱-1、活動門-2、調位機構-3、第一電機-4、接觸處理機構-5、基板-31、轉動軸-32、支塊-33、轉動件-34、連桿-35、連接件-36、螺桿-37、拉桿-38、滑動件-39、銜接件-310、氣缸-311、導桿-312、支座-313、銜接板-51、第二電機-52、支桿-53、支撐件-54、連接架-55、導向件-56、隨動接觸件-57、主動帶輪-58、同步帶-59、從動帶輪-510、支臂-511、滑動塊-512、箱體-571、噴口-572、接入口-573、接觸輥-574、第三電機-575、打磨件-574a、刮平件-574b、轉軸-574c。

      具體實施方式

      [0038]為了進一步解釋本發(fā)明的技術方案,下面通過具體實施例進行詳細闡述。

      [0039]請參閱圖1,本發(fā)明提供一種氮化硅陶瓷薄片,包括陶瓷薄片a,陶瓷薄片a頂部涂覆有涂層結構b,涂層結構b包括過渡層b1,過渡層b1為氧化鋁,采用溶膠-凝膠法制備后,涂覆于陶瓷薄片a頂部,過渡層b1頂部通過物理氣相沉積技術沉積功能層b2,功能層b2為碳化硅,具備導熱性,功能層b2頂部采用磁控濺射沉積工藝沉積有氮化鈦制備的保護層b3,為氮化硅陶瓷薄片提供耐磨、抗氧化和抗腐蝕保護。

      [0040]一種氮化硅陶瓷薄片的制備工藝,步驟如下:

      [0041]S1原材料準備:氮化硅粉末、氧化鎂燒結助劑、聚乙烯醇分散劑、聚乙烯吡咯烷酮粘結劑和潤滑劑;S2配料與混合:將氮化硅粉末與燒結助劑混合,使用球磨機對原料進行濕法球磨,球磨時間在18小時,加入適量的分散劑、粘結劑和潤滑劑;S3成型:使用膠帶鑄造法,將混合后的漿料均勻涂布在基板上,形成陶瓷薄片,成型后的薄片厚度為300 μm,成型后的薄片在干燥箱中進行干燥,并且配合表面處理裝置進行完成,溫度控制在80℃,確保水分蒸發(fā);S4脫脂與預燒結:將干燥后的陶瓷坯體在300°C下進行脫脂處理,去除有機添加劑,隨后,在大氣環(huán)境中進行預燒結,溫度控制在1000°C,預燒結時間為3小時;S5高溫燒結:采用熱壓燒結,燒結溫度控制在1800°C,燒結時間為4小時,高溫燒結過程需要保持氮氣保護,燒結后的陶瓷薄片達到高密度,孔隙率低于1%;S6后續(xù)加工:對燒結后的陶瓷薄片進行表面研磨和拋光處理,配合表面處理裝置進行完成,確保薄片表面粗糙度小于0.5 μm,最后采用激光設備將薄片進行裁切;S7涂層結構b的制備:S701底層涂覆:過渡層b1,選擇氧化鋁,采用溶膠-凝膠法,將鋁異丙醇溶于醇類溶劑中,調節(jié)pH值后生成溶膠,接著將溶膠均勻涂布在氮化硅薄片表面,涂層厚度為150 nm,然后在80°C下干燥,然后在600°C進行退火;S702中間層涂覆:功能層b2,選用碳化硅,采用物理氣相沉積方法,在真空環(huán)境下進行材料蒸發(fā)沉積,將中間功能層均勻沉積在底層涂層之上,厚度控制在5 μm;S703表面保護層b3涂覆:使用氮化鈦,采用磁控濺射沉積工藝,在真空室中進行磁控濺射,將氮化鈦沉積在中間功能層上,形成厚度為750 nm的保護層,沉積完成后,進行熱處理,溫度控制在500°C;S8熱處理與退火:所有涂層沉積完成后,將涂層結構置于惰性氣氛中進行熱處理,溫度控制在600°C,持續(xù)時間1.5小時,助于涂層的致密化及各層間的結合。

      [0042]請參閱圖2,表面處理裝置包括固定箱1,固定箱1前端面左端安裝有活動門2,固定箱1內下端設置有調位機構3,調位機構3頂部左端連接第一電機4,第一電機4安裝在固定箱1頂部,調位機構3底部右端設置有接觸處理機構5,調位機構3可帶著接觸處理機構5進行位置調節(jié),接觸處理機構5可對底部經過的薄片表面進行處理,可在干燥過程中輔助其刮平干燥以及在后處理過程中進行打磨處理。

      [0043]請參閱圖3,調位機構3包括用于進行支撐且固定在固定箱1內下端的基板31,基板31左上方設置有轉動軸32,轉動軸32頂部貫穿固定箱1與第一電機4輸出軸相接,轉動軸32外側上下兩端設有支塊33,支塊33左側可通過外部支架固定在固定箱1內側,轉動軸32外側下端連接轉動件34,轉動件34另一端與連桿35進行鉸接,連桿35另一端鉸接有拉桿38,兩者鉸接位置中部設置有連接件36,連接件36中部和轉動軸32下端螺紋連接有螺桿37,通過打開活動門2可對螺桿37進行轉動調節(jié),拉桿38另一端與滑動件39進行鉸接,滑動件39底部設置有銜接件310,銜接件310底部連接接觸處理機構5,滑動件39頂部安裝有氣缸311,氣缸311底部推出桿貫穿滑動件39連接銜接件310,滑動件39背面上下兩端設置有套筒,兩組套筒分別被兩組導桿312貫穿,導桿312固定在支座313內前端,支座313底部固定在基板31頂部,基板31底部開設有條形槽,銜接件310底部貫穿條形槽后連接接觸處理機構5。

      [0044]請參閱圖4-圖5,接觸處理機構5包括連接銜接件310的銜接板51,銜接板51右側鎖定有第二電機52,銜接件51底部四端通過支桿53連接支撐件54,支撐件54底端中部凸出,凸出位置活動嵌入有導向件56,兩者相匹配,導向件56底部則通過相同方式匹配隨動接觸件57,但兩組匹配位置交錯,不平行,隨動接觸件57前后兩端上端鎖定有連接架55,第二電機52底部輸出軸連接主動帶輪58,主動帶輪58外側通過同步帶59與從動帶輪510進行同步轉動,從動帶輪510內側中部焊接固定有支臂511,支臂511中部通過軸桿連接支撐件54,支臂511右端套設有滑動塊512,滑動塊512底部呈凸出狀,并且滑動塊512頂部連接連接架55,在支撐件54頂端中部開設有方形狀的滑槽,滑槽內側四角呈倒角狀,滑動塊512凸出位置可活動嵌入至滑槽內進行滑動。

      [0045]請參閱圖6,隨動接觸件57包括頂端中部與導向件56相匹配的箱體571,箱體571底部左右兩端開設有噴口572,箱體571前端面下端開設有兩組與噴口572相通的接入口573,兩組接入口573分別連接外部供水和熱風供給設備,可進行打磨過程中的噴灑和干燥過程中加熱,并且在接入口573內需配備閥門,不可同步使用,箱體571底端中部開設有凹槽,凹槽內部設置有接觸輥574,箱體571左側設置有連接接觸輥574的第三電機575。

      [0046]請參閱圖7,接觸輥574上端嵌入有用于進行打磨的打磨件574a,接觸輥574底部嵌入用于刮平的刮平件574b,接觸輥574中部設置有轉軸574c,轉軸574c左側貫穿箱體571連接第三電機575輸出軸。

      [0047]具體實施流程如下:

      [0048]當需要使用表面處理裝置對薄片加工過程進行處理時,首先將表面處理裝置安裝到薄片傳送放置裝置上方,即可準備對薄片進行處理;

      [0049]若需要在干燥過程中對薄片進行表面刮平以及加熱干燥時,啟動氣缸311工作,氣缸311底部推出桿帶著銜接件310使得接觸處理機構5進行高度位置調節(jié),使其下移,讓刮平件574b接觸到薄片表面,此時外部的熱風供給設備啟動,熱風從接入口573進入到噴口572噴出;

      [0050]然后啟動第一電機4開始進行工作,第一電機4帶著轉動軸32進行轉動,轉動軸32轉動過程中轉動件34使得連桿35跟隨轉動,作用下拉桿38即可跟隨移動,拉桿38另一端連接的滑動件39即可在導桿312上進行左右移動,移動過程中通過底部的銜接件310帶著接觸處理機構5跟隨移動,底部的刮平件574b開始對薄片表面進行刮平,若需要調節(jié)左右移動速度時,將活動門2打開,然后轉動螺桿37,調節(jié)連桿35和轉動件34的角度,即可完成滑動件39滑動速度的調節(jié);

      [0051]在刮平過程中,啟動第二電機52開始工作,第二電機52帶著主動帶輪58進行轉動,主動帶輪58轉動過程中通過同步帶59使得從動帶輪510進行轉動,從動帶輪510中部的支臂511跟隨轉動,轉動時帶著滑動塊512沿著支撐件54頂部的方向槽內進行滑動,然后作用于連接架55運動,連接架55帶著隨動接觸件57跟隨運動,與上方的導向件56以及支撐件54底部配合進行方形狀軌跡往復轉動,配合刮平件574b進行均勻刮平工作;

      [0052]若需要進行打磨工作時,啟動第三電機575工作,第三電機575帶著轉動軸574c使得接觸輥574轉動,將打磨件574a朝下,然后關閉熱風供給設備,啟動外部供水設備,由噴口572內噴出水或者打磨液,與刮平過程一樣進行調位,往復運動,開始進行均勻打磨工作。

      [0053]以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實例而已,并不用于限制本發(fā)明,盡管參照前述實施例對本發(fā)明進行了詳細的說明,對于本領域的技術人員來說,其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改,或者對其中部分技術特征進行等同替換。凡在本發(fā)明的精神和原則之內,所作的任何修改、等同替換、改進等,均應包含在本發(fā)明的保護范圍之內。

      說明書附圖(7)

      聲明:
      “氮化硅陶瓷薄片及其制備工藝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
      我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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