本發(fā)明公開了一種具有雙穩(wěn)態(tài)結(jié)構(gòu)的肖特基二極管設(shè)計方法,步驟包括:從銅體相中得到純凈的Cu(111)表面;利用DFT計算方法對其結(jié)構(gòu)進行優(yōu)化得到其晶格常數(shù),并與實驗值比較;構(gòu)建出anthradithiophene(ADT)分子,并對其進行結(jié)構(gòu)優(yōu)化;再將優(yōu)化好的ADT分子放在優(yōu)化好的Cu(111)面的多種不同位置上,分別對其結(jié)構(gòu)進行優(yōu)化;檢查優(yōu)化好的結(jié)果,并且找出能夠穩(wěn)定存在的結(jié)構(gòu);單獨計算吸附前優(yōu)化好的ADT分子的禁帶寬以及界面偶極得到其肖特基高度。本發(fā)明通過新穎而又精確的DFT計算方法,結(jié)合實驗數(shù)據(jù),使得設(shè)計出的肖特基二極管穩(wěn)定性高,肖特基能壘低,且兼具物理和化學(xué)吸附的雙重優(yōu)點。
聲明:
“具有雙穩(wěn)態(tài)結(jié)構(gòu)的肖特基二極管設(shè)計方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)