本發(fā)明公開了一種單晶硅位錯密度的無損檢測方法,設置儀器參數(shù),對單晶硅片進行XRD測試;獲得該單晶硅片的XRD衍射譜,經(jīng)過擬合,由該衍射譜獲得衍射峰的半高寬數(shù)據(jù)B;以相同的儀器測試參數(shù)對無位錯標準硅樣品進行XRD測試,獲得標準硅樣品的XRD衍射譜,經(jīng)過擬合,獲得儀器寬化δ;根據(jù)關系式計算單晶硅位錯導致的物理寬化β;根據(jù)公式ρ=β2/(4.35b2)計算所測單晶硅的位錯密度。該無損檢測方法以XRD測試方法為基礎、可對位錯密度進行定量化測試表征的理論,實現(xiàn)單晶硅中位錯密度的定量計算表征。操作簡單,數(shù)據(jù)處理方便,結果可靠同時對待測樣品無損。
聲明:
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