本發(fā)明公開了一種硅外延層過渡區(qū)的無損檢測方法,屬于硅外延生長技術領域。本發(fā)明的方法包括下述步驟:(1)生長前利用電容位移傳感器的方法先測量硅襯底片總厚度Tsub;(2)將硅襯底片外延生長,取片后利用紅外膜厚測試儀測量硅外延層厚度Tepi,測量位置和外延前測量硅襯底片厚度的位置相對應;(3)然后利用電容位移傳感器測量外延后的硅片的總厚度Ttot,其測量位置和硅襯底片測量厚度的位置相對應;(4)利用公式:(硅襯底片總厚度Tsub+硅外延層厚度Tepi)–外延后硅片的總厚度Ttot,得到過渡區(qū)長度。本發(fā)明的方法具有無損、準確率高、檢測速度快的優(yōu)點。
聲明:
“硅外延層過渡區(qū)的無損檢測方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)