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近日,青禾晶元在其官方渠道發(fā)布了一則重要消息,宣布與中科院微電子所高頻高壓中心及南京電子器件研究所展開合作,共同研發(fā)出基于6英寸Emerald-SiC復(fù)合襯底的高性能且低成本的1200V SiC MOSFET。這一成果標(biāo)志著青禾晶元在碳化硅半導(dǎo)體材料領(lǐng)域取得了重要突破。
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