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    2. 特種粉末冶金及復(fù)合材料制備/加工第八屆學(xué)術(shù)會議
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      青禾晶元攜手科研單位突破  成功研發(fā)1200V SiC MOSFET復(fù)合襯底

      近日,青禾晶元在其官方渠道發(fā)布了一則重要消息,宣布與中科院微電子所高頻高壓中心及南京電子器件研究所展開合作,共同研發(fā)出基于6英寸Emerald-SiC復(fù)合襯底的高性能且低成本的1200V SiC MOSFET。這一成果標(biāo)志著青禾晶元在碳化硅半導(dǎo)體材料領(lǐng)域取得了重要突破。

      標(biāo)簽:
      青禾晶元
      碳化硅半導(dǎo)體材料
      碳化硅
      半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
      2024-12-23
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