近日，青禾晶元在其官方渠道發(fā)布了一則重要消息，宣布與中科院微電子所高頻高壓中心及南京電子器件研究所展開合作，共同研發(fā)出基于6英寸Emerald-SiC復(fù)合襯底的高性能且低成本的1200V SiC MOSFET。這一成果標(biāo)志著青禾晶元在碳化硅半導(dǎo)體材料領(lǐng)域取得了重要突破。

據(jù)了解，在MOSFET制造過程中，高質(zhì)量的無缺陷襯底是確保器件性能的關(guān)鍵。然而，目前市場上可用于MOSFET制造的高質(zhì)量襯底的成品率普遍較低，僅為40%-60%。這導(dǎo)致高質(zhì)量SiC襯底的生產(chǎn)成本高昂，占最終MOSFET器件成本的50%以上。為了降低生產(chǎn)成本，青禾晶元攜手合作單位提出了一種新型6英寸單晶SiC復(fù)合襯底技術(shù)。

該技術(shù)通過表面活化鍵合技術(shù)和離子注入剝離技術(shù)，將高質(zhì)量SiC薄層鍵合轉(zhuǎn)移到低質(zhì)量單晶SiC襯底上，實(shí)現(xiàn)了低質(zhì)量單晶SiC襯底的有效利用。據(jù)透露，每個(gè)高質(zhì)量SiC晶圓可重復(fù)使用超過30次，預(yù)計(jì)成本可降低40%。這一技術(shù)的成功應(yīng)用，不僅降低了SiC MOSFET的生產(chǎn)成本，還提高了產(chǎn)品的性能和可靠性。

此外，復(fù)合襯底技術(shù)已成為碳化硅乃至半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的一大技術(shù)突破方向。除了青禾晶元外，其他廠商如達(dá)波科技也在積極涉足這一領(lǐng)域。達(dá)波科技近期披露了其首條4/6英寸碳化硅基壓電復(fù)合襯底生產(chǎn)線的貫通情況，進(jìn)一步推動了復(fù)合襯底技術(shù)的發(fā)展。

碳化硅基壓電復(fù)合襯底作為一種高性能材料，具有高硬度、耐高溫、耐腐蝕等優(yōu)點(diǎn)，在電子、光電和機(jī)械等多個(gè)領(lǐng)域有著廣泛的應(yīng)用前景。在電子行業(yè)中，它被廣泛用于制造高功率LED和功率器件;在光電行業(yè)中，它則用于制造太陽能電池板和激光器。