2024年12月18日，德國NexWafe公司宣布，其太陽能硅片制造技術(shù)取得了一項重大進(jìn)展。

具體而言，NexWafe的EpiNex太陽能硅片在商用M6異質(zhì)結(jié)(HJT)電池上成功實(shí)現(xiàn)了24.4%的效率，這一成果標(biāo)志著EpiNex硅片首次達(dá)到了與傳統(tǒng)CZ硅片相同的效率水平。

NexWafe采用的是一種獨(dú)特的“氣體到硅片”外延技術(shù)，該技術(shù)通過化學(xué)氣相沉積在晶體基板上直接生長硅晶體結(jié)構(gòu)。這一方法區(qū)別于傳統(tǒng)的CZ硅片生產(chǎn)方式，后者通常是通過在石英坩堝中熔煉硅錠，然后切割成薄片。

此次的技術(shù)突破驗(yàn)證了NexWafe的直接氣體到硅片工藝的優(yōu)勢。通過減少材料浪費(fèi)、降低40%的能耗，并省去了電池生產(chǎn)中的鋸損傷蝕刻工藝步驟，EpiNex技術(shù)帶來了顯著的降低成本潛力。據(jù)官網(wǎng)資料顯示，傳統(tǒng)的CZ技術(shù)因多晶硅損失而造成高達(dá)50%的材料浪費(fèi)，而EpiNex技術(shù)則通過消除線鋸割縫損失，將這種浪費(fèi)減少到了10%以下。

此外，EpiNex技術(shù)還能很好地滿足下一代太陽能電池對太空應(yīng)用和串聯(lián)結(jié)電池不斷變化的需求。這些應(yīng)用通常要求硅片更薄，且具備更強(qiáng)的熱穩(wěn)定性、精確的平整度和卓越的材料質(zhì)量，而EpiNex技術(shù)正是為了滿足這些需求而設(shè)計的。

值得注意的是，EpiNex晶圓的氧含量比傳統(tǒng)CZ晶圓低了20倍，這一特性不僅增強(qiáng)了其熱穩(wěn)定性，還有助于提升電池在高溫條件下的性能。