近日，長飛先進武漢基地項目迎來了重要里程碑——首批生產(chǎn)設(shè)備正式入駐光谷科學(xué)島，標志著該項目正加速推進，步入實質(zhì)性建設(shè)階段。

據(jù)了解，這批入駐的設(shè)備覆蓋了芯片制造的全鏈條，包括薄膜淀積、離子注入、光刻、刻蝕等關(guān)鍵環(huán)節(jié)，為后續(xù)的量產(chǎn)奠定了堅實基礎(chǔ)。長飛先進武漢基地項目總投資預(yù)計超過200億元，占地面積約22.94萬平方米，建筑面積更是高達30.15萬平方米。項目主要聚焦于第三代半導(dǎo)體功率器件的研發(fā)與生產(chǎn)，建設(shè)內(nèi)容包括晶圓制造廠房、封裝廠房、外延廠房、動力廠房、成品庫、綜合辦公樓、員工宿舍以及生產(chǎn)配套用房設(shè)施等，規(guī)模宏大，設(shè)施完善。

預(yù)計到2025年5月，長飛先進武漢基地將實現(xiàn)量產(chǎn)通線，屆時將年產(chǎn)36萬片碳化硅晶圓及外延、6100萬個功率器件模塊，這些產(chǎn)品將廣泛應(yīng)用于新能源汽車、光伏、儲能、充電樁等前沿領(lǐng)域，為推動相關(guān)產(chǎn)業(yè)的快速發(fā)展貢獻力量。

值得一提的是，近期除了長飛先進武漢基地外，還有多個碳化硅芯片/模塊項目也取得了顯著進展。例如，士蘭微旗下廈門士蘭明鎵化合物半導(dǎo)體有限公司的碳化硅功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項目已經(jīng)通過驗收，新增了一條SiC產(chǎn)線，主要生產(chǎn)SiC功率芯片產(chǎn)品，年產(chǎn)能達到MOSFET芯片和SBD芯片各28.8萬片。另外，瑞福芯科技的“車規(guī)級SiC半導(dǎo)體功率模塊產(chǎn)業(yè)化項目”也正式落地東臺高新技術(shù)開發(fā)區(qū)，投資規(guī)模在10-15億元之間，分兩期實施，首期投資已達3億元。

這些項目的順利推進，無疑將為中國碳化硅產(chǎn)業(yè)的發(fā)展注入新的活力。