場發(fā)射透射電子顯微鏡說明介紹

簡介 TECNAI G2 F20透射電子顯微鏡是一個多功能、多用戶環(huán)境的200KV場發(fā)射透射電子顯微鏡。該儀器配備了STEM、EDX、HADF、CCD等附件，能采集TEM明場、暗場像和髙分辨像，能進行選區(qū)電子衍射，能進行EDX能譜分析和髙分辨STEM原子序數像的分析，STEM結合EⅨ點、線掃描的可以進行微區(qū)能譜分析。 工作原理

    TECNAI G2 F20透射電子顯微鏡可進行：

  （1）形貌分析，它獲得非晶材料的質厚襯度像，多晶材料的衍射襯度像和單晶薄膜的相位襯度像（原子像），通過形貌分析可獲得樣品的形貌、粒徑、分散性等相關信息，冋時還可通過明場像、暗場像對樣品進行進一步的表征；

  （2）結構分析，觀察硏究材料結構并對樣品進行納米尺度的微分析，如：髙分辨晶格條紋像，選取電子衍射等。

  （3）成分分析：小到幾個納米尺度的微區(qū)或晶粒的成分分析，可對樣品進行能譜點測、能譜線掃，獲得樣品中的元素在一個點、一條線的分布情況。TECNAI G2 F20透射電子顯微鏡廣泛應用于髙分子材料、陶瓷、納米材料、生物學、醫(yī)學、化學、物理學、地質學、金屬、半導體材料等領域的科硏。

技術參數

• 最大放大倍數105萬倍（1,050,000×）
• 點分辨率0.24nm加速電壓：200KV
• 極限（信息）分辨率0.14nm
• STEM分辨率0.2nm
• 最小束斑尺寸0.2nm
• 物鏡球差系數Cs1.2nm
• 物鏡色差系數Cc1.2nm
• Ⅹ射線能譜范圍B5~U92X
• 射線能譜儀能量分辨率136eV

選型原則 檢測能力：透射形貌、暗場像、髙分辨像、電子衍射，能譜 應用案例 下單網址：www.foftest.com 設備結構     TECNAI G2 F20透射電子顯微鏡是一個多功能、多用戶環(huán)境的200KV場發(fā)射透射電子顯微鏡。該儀器配備了STEM、EDX、HADF、CCD等附件，能采集TEM明場、暗場像和髙分辨像，能進行選區(qū)電子衍射，能進行EDX能譜分析和髙分辨STEM原子序數像的分析，STEM結合EⅨ點、線掃描的可以進行微區(qū)能譜分析。

上一個： EBSD背散射 下一個： 雙向觀測全譜電感耦合等離子體發(fā)射光譜儀