主要用途:
用激光打在靶材上,制備超導薄膜、半導體薄膜、超硬薄膜等,是一種非常適用的鍍膜方式。
結構特點:
系統(tǒng)由球形結構的超高真空沉積室、樣品支持架、多工位激光轉(zhuǎn)靶、真空獲得、真空測量、氣路、PLC及電控系統(tǒng)等組成。
技術指標:
1、沉積室:球形?450mm,接換樣活門和激光入射窗口、樣品架及各種法蘭接口。
2、真空度:分子泵系統(tǒng)極限真空:6.6×10-8Pa。
3、樣品架組件:樣品尺寸2英寸,樣品加熱溫度:白金絲為加熱體,在有氧氣氣氛下800°C可長期使用。控溫精度:±1°C。樣品可自轉(zhuǎn),轉(zhuǎn)數(shù)0-30轉(zhuǎn)/分;可交接、激光沉積和在線檢測位置。
4、四工位激光轉(zhuǎn)靶:可安裝四塊2英寸靶材。每塊靶材可公轉(zhuǎn)到濺射位置并精確定位、自轉(zhuǎn),公轉(zhuǎn)、自轉(zhuǎn)均由步進電機驅(qū)動,自轉(zhuǎn)轉(zhuǎn)速0-30轉(zhuǎn)/分可調(diào)。
5、氣路:質(zhì)量流量計控制(氧氣)