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      > 激光法導(dǎo)熱儀 LFA 457 MicroFlash?

      激光法導(dǎo)熱儀 LFA 457 MicroFlash?

      激光法導(dǎo)熱儀 LFA 457 MicroFlash?

      3196
      規(guī)格/型號:LFA 457 MicroFlash?
      品牌:暫無
      應(yīng)用領(lǐng)域:暫無
      產(chǎn)地:江蘇 - 無錫
      咨詢電話::暫無(請說明信息源自“中冶有色技術(shù)網(wǎng)”)
      更新時間:2021-12-29
      級別:已認(rèn)證

      激光法導(dǎo)熱儀 LFA 457 MicroFlash?說明介紹

      簡介 NETZSCH LFA 457 MicroFlash? 儀器為桌上型,溫度范圍 -125 ... 1100°C。為了覆蓋這一溫度范圍,提供了兩種可自由切換的爐體。 系統(tǒng)所使用的全新的紅外傳感器技術(shù)使得用戶甚至可以在 -125°C 的低溫下測量樣品背部的溫升曲線。 儀器既可使用內(nèi)置的自動樣品切換器在一次升溫中對多個較小的樣品進(jìn)行測量,也可單獨(dú)測量較大的樣品(*大直徑 25.4mm)。 真空密閉系統(tǒng)使得儀器可以在多種用戶可選的氣氛中進(jìn)行測量。 樣品支架、爐體與檢測器的垂直式排布方便了樣品的放置與更換,同時使得檢測信號擁有*佳的信噪比。 LFA 457 是強(qiáng)大與靈活 工作原理

      NETZSCH LFA 457 MicroFlash® 儀器為桌上型,溫度范圍 -125 ... 1100°C。為了覆蓋這一溫度范圍,提供了兩種可自由切換的爐體。

      系統(tǒng)所使用的全新的紅外傳感器技術(shù)使得用戶甚至可以在 -125°C 的低溫下測量樣品背部的溫升曲線。

      儀器既可使用內(nèi)置的自動樣品切換器在一次升溫中對多個較小的樣品進(jìn)行測量,也可單獨(dú)測量較大的樣品(*大直徑 25.4mm)。

      真空密閉系統(tǒng)使得儀器可以在多種用戶可選的氣氛中進(jìn)行測量。

      樣品支架、爐體與檢測器的垂直式排布方便了樣品的放置與更換,同時使得檢測信號擁有*佳的信噪比。

      LFA 457 是強(qiáng)大與靈活的 LFA 系統(tǒng),適用于包括汽車制造、航空航天與能源技術(shù)在內(nèi)的各種領(lǐng)域的常規(guī)材料與新型高性能材料的表征。

       


       


       

      Ag1-xPb18MTe20 - 導(dǎo)熱系數(shù)

       

      下圖為 AgPb18Te20 150 oC到370 oC溫度范圍內(nèi)的導(dǎo)熱系數(shù)測試結(jié)果。晶格導(dǎo)熱系數(shù)可以根據(jù)測試得到的導(dǎo)熱系數(shù)計(jì)算得到。AgPb18Te20的總導(dǎo)熱系數(shù)(λtot) 和晶格導(dǎo)熱系數(shù)(λlatt) 呈現(xiàn)出溫度依賴性。

      插圖為 Ag1-xPb18BiTe20 (x = 0, 0.3) 和 AgPb18BiTe20 (用 + 表示) 的導(dǎo)熱系數(shù)溫度依賴性比較。

       

      Ag1-xPb18MTe20 (M = Bi, Sb); Kanatzidis et al., Northwestern University, IL, USA [1]
      Netzsch LFA 457 MicroFlash® 測試,樣品尺寸為 Φ12.7 mm*2 mm。


      PbTe-Ge 和 PbTe-Ge1-xSix 合金導(dǎo)熱系數(shù)

       

      在碲化鉛材料 PbTe-Ge 和 PbTe-Ge1-xSix 中,通過調(diào)整 Ge 和 Si 的含量可以很容易調(diào)節(jié)合金的導(dǎo)熱系數(shù)。

      下圖結(jié)果是在 25℃ 到 320℃ 溫度范圍內(nèi)獲得。圖A 顯示 Ge 不同的含量對 PbTe 的晶格導(dǎo)熱系數(shù)有很大的影響。在整個溫度范圍內(nèi),隨著 Ge 含量的降低,晶格導(dǎo)熱系數(shù)降低。另外,在上述體系加入 Si 元素后,晶格導(dǎo)熱系數(shù)進(jìn)一步降低(圖B)。當(dāng) Ge 和 Si 的混合比例不變,將 Ge0.8Si0.2 含量降低時,可以看到類似的行為(圖C)。圖D 顯示當(dāng)Ge-/Ge-si 的比例為 5% 時能夠得到*佳晶格導(dǎo)熱系數(shù)。

       

      [2] Sootsman, Joseph R.; He, Jiaqing; Dravid, Vinayak P., Li, Chang-Peng; Uher, Ctirad; Kanatzidis, Mercouri G. High Thermoelectric Figure of Merit and Improved Mechanical Properties in Melt Quenched PbTe – Ge and PbTe – Ge1-xSix Eutectic and Hyper-eutectic Composites J. Appl. Phys. (2009), 105, 083718. (LFA 457 MicroFlash® 測試)

      LFA 457 MicroFlash® - 相關(guān)附件

      LFA 457 MicroFlash® 配有恒溫水浴,以保證溫度與長時間工作的穩(wěn)定性。

      提供多種類型的真空泵,可以使得測試在真空或純凈無氧的惰性氣氛下進(jìn)行。

      流量計(jì),用于調(diào)節(jié)吹掃氣體的流量。

      由 SiC 或石墨制成的樣品支架與樣品罩,適用于標(biāo)準(zhǔn)樣品尺寸。

      提供由鉑金、鋁、藍(lán)寶石等材料制成的多種類型不同尺寸的樣品支架或樣品容器,用于測量液體樣品、熔融金屬、礦渣與纖維等特殊樣品。

      提供用于熱擴(kuò)散系數(shù)驗(yàn)證的標(biāo)準(zhǔn)樣品。

      提供用于比熱測試的參比樣品。

      制樣設(shè)備。

       

       

      技術(shù)參數(shù)

      LFA 457 MicroFlash® - 技術(shù)參數(shù)

      • 溫度范圍:-125 ... 500°C,RT ... 1100°C(使用兩種可自由更換的爐體)
      • 升降溫速率:0.01 ... 50 K/min
      • 激光neng量:18.5 J/pulse(功率可調(diào))
      • 使用紅外檢測器,進(jìn)行非接觸式的樣品表面溫升信號測試
      • 熱擴(kuò)散系數(shù)范圍:0.01 ... 1000 mm2/s
      • 導(dǎo)熱系數(shù)范圍:0.1 ... 2000 W/m*K
      • 樣品直徑:10 ... 25.4 mm 圓,或 8×8 與 10×10mm 方。
      • 樣品厚度:0.1 ... 6 mm
      • 樣品支架:碳化硅,石墨
      • 熔融金屬容器:藍(lán)寶石
      • 液體樣品容器:鉑金
      • 氣氛:惰性,氧化,還原,靜態(tài),動態(tài)
      • 真空密閉系統(tǒng):真空度 10-2 mbar(1 Pa)
       

      LFA 457

      LFA 457 MicroFlash® 結(jié)構(gòu)示意圖(1100°C爐體)

       

      選型原則 根據(jù)具體需求來選擇 應(yīng)用案例

      LFA 457 MicroFlash® - 應(yīng)用實(shí)例

      多晶石墨

      使用配有低溫系統(tǒng)的 LFA 457 對多晶石墨進(jìn)行了測試,測試曲線上材料在室溫附近導(dǎo)熱系數(shù)達(dá)到*大,一般解釋為由于該材料的 Debye 溫度較高(> 1000 K)所致。在峰值右側(cè)的高溫區(qū)域,熱擴(kuò)散系數(shù)隨溫度上升而下降得比較快,zhu導(dǎo)了該區(qū)域的導(dǎo)熱系數(shù)變化的趨勢。峰值左側(cè)的低溫區(qū)則比熱下降的非常快,這zhu導(dǎo)了低溫下該材料的導(dǎo)熱系數(shù)隨溫度變化的趨勢。


      聚碳酸酯

      聚碳酸酯(PC)是一種非常常見的聚合物材料,常用于電動工具包裝。為了通過有限元素模擬的方法以優(yōu)化生產(chǎn)/模制工藝,需要知道它的熱物性參數(shù)。如果使用 LFA 457 的熔融樣品容器,則不僅能測得固態(tài)下、也能測得玻璃化轉(zhuǎn)變溫度以上(> 140°C)的材料的熱擴(kuò)散系數(shù)。若已知密度與比熱數(shù)據(jù)(可用 DSC 測試),則可計(jì)算得到導(dǎo)熱系數(shù)。此外,在比熱曲線與熱擴(kuò)散曲線上還可以看到玻璃化轉(zhuǎn)變(在導(dǎo)熱系數(shù)曲線上則無法看到這一類似于二級相變的轉(zhuǎn)變過程)。


      硅片-熱物理性質(zhì)

       

      本例中,硅片的物理性質(zhì)由 LFA 457 MicroFlash® 測試。從 -100℃ 到 500℃,導(dǎo)熱性能和熱擴(kuò)散系數(shù)持續(xù)降低。

      比熱值用 DSC 204 F1 Phoenix® 測定。數(shù)據(jù)點(diǎn)的標(biāo)準(zhǔn)偏差小于 1 %。

       

      硅片在 -100℃ 到 500℃ 溫度范圍內(nèi)的 LFA 和 DSC 測試



      設(shè)備結(jié)構(gòu)

      LFA 457 MicroFlash® - 軟件功能

      LFA 457 MicroFlash® 的測量與分析軟件是基于 MicroSoft Windows® 系統(tǒng)的 Proteus® 軟件包,它包含了所有必要的測量功能和數(shù)據(jù)分析功能。這一軟件包具有*其友善的用戶界面,包括易于理解的菜單操作和自動操作流程,并且適用于各種復(fù)雜的分析。Proteus 軟件既可安裝在儀器的控制電腦上聯(lián)機(jī)工作,也可安裝在其他電腦上脫機(jī)使用。

      LFA 部分軟件功能:

      • 精que的脈沖寬度修正與脈沖neng量積分。
      • 熱損耗修正。
      • 集成了所有傳統(tǒng)模型。
      • 使用非線性回歸進(jìn)行 Cowan 擬合。
      • 改進(jìn)的 Cape-Lehmann 模型,使用非線性回歸,將多維熱損耗納入計(jì)算。
      • 對于半透明樣品的輻射修正。
      • 二層與三層結(jié)構(gòu)樣品:通過非線性回歸方式進(jìn)行擬合,并將熱損耗納入計(jì)算。
      • 計(jì)算多層樣品的接觸熱阻。
      • 比熱測量:使用已知比熱的標(biāo)樣、通過比較法進(jìn)行計(jì)算。
      • 內(nèi)置數(shù)據(jù)庫。

      LFA 457

      NETZSCH LFA Proteus® 的分析界面

      參見:Proteus®

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      所屬領(lǐng)域:
      礦山,冶金,材料,檢測,其他
      企業(yè)性質(zhì):
      服務(wù)型
      經(jīng)營范圍:
      進(jìn)口品牌實(shí)驗(yàn)室儀器設(shè)備
      聯(lián)系電話:
      021-80109380
      詳細(xì)地址:
      智慧路1號清華創(chuàng)新大廈A606
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