本發(fā)明公開了基于納米碳化硅提高環(huán)氧樹脂導(dǎo)熱率的方法。采用納米級碳化硅粉體比微米級粉體填料不僅接觸更加充份,形成接觸導(dǎo)熱鏈,且更容易與高分子鏈接枝,形成Si-O-Si鏈導(dǎo)熱骨架做為主要導(dǎo)熱通路,納米碳化硅粉體體積比為13.8%(折合成質(zhì)量比不到30%)就大幅度提高環(huán)氧樹脂導(dǎo)熱率到4.1瓦/米·開。本發(fā)明大幅度提高
復(fù)合材料的導(dǎo)熱率,同時不降低復(fù)合材料的機械性能,SiC經(jīng)表面改性后可有效提高復(fù)合材料的導(dǎo)熱性能和力學(xué)性能,并且改性SiC的加入可有效降低EP的玻璃化轉(zhuǎn)變溫度。
聲明:
“基于納米碳化硅提高環(huán)氧樹脂導(dǎo)熱率的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)