本發(fā)明涉及一種化學(xué)氣相共沉積法制備HfC?SiC復(fù)相梯度涂層的方法,采用化學(xué)氣相共沉積技術(shù)在C/C
復(fù)合材料表面沉積HfC?SiC復(fù)相梯度涂層。本發(fā)明方法制備的HfC?SiC復(fù)相梯度涂層通過控制涂層中的組織成分,實(shí)現(xiàn)了熱膨脹系數(shù)的梯度分布,從根本上解決了涂層與基體之間的熱膨脹系數(shù)不匹配。所制備的涂層與基體結(jié)合良好,可實(shí)現(xiàn)組織成分的控制,并且化學(xué)氣相共沉積工藝制備周期短、工藝過程簡單,成本低。通過本發(fā)明在C/C復(fù)合材料表面制備的HfC?SiC復(fù)相梯度涂層表面無裂紋,涂層與基體結(jié)合強(qiáng)度良好。
聲明:
“化學(xué)氣相共沉積法制備HfC-SiC復(fù)相梯度涂層的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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