本發(fā)明公開了一種g?C
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4/rGO/ZnS光催化劑的制備及在光
電化學陰極保護方面的應用,其中,一種g?C
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4/rGO/ZnS三元復合光催化劑的制備方法,其包括,將氧化
石墨烯、鋅鹽溶解,超聲分散;加入硫源,攪拌后高溫反應,清洗后干燥,得rGO/ZnS
復合材料;將g?C
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4和所述rGO/ZnS復合材料溶解,攪拌后高溫反應,得g?C
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4/rGO/ZnS三元復合光催化劑;一種g?C
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4/rGO/ZnS光電極的制備方法,其包括:將g?C
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4/rGO/ZnS、粘結(jié)劑、溶劑混合,超聲后均勻涂覆于經(jīng)預處理的基材表面,自然風干后加熱干燥。本發(fā)明采用硫化鋅、氧化石墨烯對氮化碳進行半導體復合改性,能夠有效調(diào)整g?C
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4的能帶結(jié)構(gòu),提升其光生空穴氧化能力、光生電子遷移能力以及增加光電化學反應活性位點。
聲明:
“g-C3N4/rGO/ZnS光催化劑的制備及在光電化學陰極保護方面的應用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)