本發(fā)明提供一種具有均勻孔洞的
石墨烯膜及其制備方法,本發(fā)明所涉及的制備方法,包括:步驟1.將較高熔點(diǎn)金屬作為支撐基底;步驟2.將較低熔點(diǎn)金屬或合金放置在支撐基底上作為反應(yīng)基底,在CVD反應(yīng)爐中,以高于反應(yīng)基底熔點(diǎn)且低于支撐基底熔點(diǎn)的溫度加熱,獲得粘附有二氧化硅的反應(yīng)基底作為生長(zhǎng)基底;步驟3.采用CVD的方法生長(zhǎng)超有序的二氧化硅石墨烯
復(fù)合材料;步驟4.對(duì)超有序的二氧化硅石墨烯復(fù)合材料進(jìn)行轉(zhuǎn)移,僅將石墨烯材料轉(zhuǎn)移下來,得到具有均勻孔洞的孔洞的石墨烯膜。本發(fā)明制備的石墨烯膜上具有大小均一、且分散高度均勻的孔洞,這種石墨烯膜在對(duì)孔洞大小及分布有嚴(yán)格要求的膜分離技術(shù)等領(lǐng)域中有巨大的應(yīng)用潛力。
聲明:
“具有均勻孔洞的石墨烯膜及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)