本發(fā)明屬于催化劑領(lǐng)域,具體公開了一種生長(zhǎng)在Si襯底上InGaN納米柱@Ti?Ni納米粒子復(fù)合結(jié)構(gòu)及其制備方法與應(yīng)用。該復(fù)合結(jié)構(gòu)包括Si襯底以及生長(zhǎng)在Si襯底上的InGaN納米柱@Ti?Ni納米粒子
復(fù)合材料。本發(fā)明制備的Ti?Ni雙金屬納米結(jié)構(gòu)助催化劑具有更佳的可調(diào)性和協(xié)同效應(yīng),能增強(qiáng)InGaN納米柱光生載流子分離與轉(zhuǎn)移效率,提高反應(yīng)活性位點(diǎn),顯著提高InGaN納米柱的光電轉(zhuǎn)換效率;同時(shí),該制備方法工藝簡(jiǎn)單、成本低,為其它半導(dǎo)體復(fù)合催化材料的制備提供了一種新型的思路。最后,本發(fā)明公開的Si襯底上InGaN納米柱@Ti?Ni納米粒子復(fù)合材料,禁帶寬度在0.67~3.4eV范圍可調(diào),具有較大的比表面積,對(duì)太陽光有較強(qiáng)的吸收,適用于光電解水產(chǎn)氫。
聲明:
“Si襯底上InGaN納米柱@Ti-Ni納米粒子復(fù)合結(jié)構(gòu)及其制備方法與應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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