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      高鋁含量、低氧含量的聚鋁碳硅烷、制備方法及SiAlC陶瓷

      1103   編輯:管理員   來源:中冶有色技術網(wǎng)  
      2023-03-18 17:44:46
      本發(fā)明公開了一種高鋁含量、低氧含量的聚鋁碳硅烷的制備方法,采用液態(tài)超支化液態(tài)聚碳硅烷和甲基鋁氧烷為原料,在密閉惰性條件下,制得聚鋁碳硅烷,通過調(diào)節(jié)原料的配比,即可實現(xiàn)聚鋁碳硅烷中鋁元素含量的調(diào)節(jié);本發(fā)明還公開了一種基于上述方法制得的聚鋁碳硅烷,鋁元素質(zhì)量百分比含量可為0~20%,氧元素質(zhì)量百分比含量小于2%;本發(fā)明還公開了一種基于上述聚鋁碳硅烷高溫裂解后得到的SiAlC陶瓷,SiAlC陶瓷中Si、Al、C元素組成可調(diào),且具有優(yōu)異的耐高溫及抗氧化性能,可用于PIP法制備耐超高溫C/SiAlC陶瓷基復合材料,亦可用于超高溫抗氧化涂層、纖維的制備。
      聲明:
      “高鋁含量、低氧含量的聚鋁碳硅烷、制備方法及SiAlC陶瓷” 該技術專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
      我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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