CVD(G)系列高溫真空氣氛管式爐專門設計用于高溫CVD工藝。如ZnO納米結(jié)構(gòu)的可控生長、氮化硅渡膜、陶瓷基片導電率測試、陶瓷電容器(MLCC)氣氛燒結(jié)等等。 窯爐采用氧化鋁纖維制品隔熱、保溫,優(yōu)質(zhì)硅鉬棒加熱,優(yōu)質(zhì)99剛玉管爐膛,氣體采用浮子流量計流量計控制。進口單回路智能溫度控制儀控制,有效的實現(xiàn)溫度的控制。設備具有溫度均勻、控制穩(wěn)定、升溫速度快、節(jié)能、使用溫度高、壽命長等特點,是理想的科研設備。
?該設備為1200℃開啟式真空管式爐,不僅可以抽真空,也可以通氣體保護。爐管工件橫穿于上下共8組電阻絲的爐膛,溫場均勻性好。該設備為特殊設計,爐體上部設計有石英管,樣品經(jīng)過電機驅(qū)動,上下移動,方便取放樣;設備兩端安裝有卡箍式不銹鋼快接法蘭,安裝拆卸簡便快捷,該設備廣泛應用在半導體、納米材料、碳纖維、石墨烯等新材料、新工藝領(lǐng)域。雙溫區(qū)結(jié)構(gòu)設計可獲得較長恒溫區(qū)間,溫場均勻性好。結(jié)構(gòu)簡單,操作方便。法蘭出氣端設計有加熱帶輔助加熱,避免管內(nèi)水汽冷凝,多余水汽通過法蘭直接冷凝后經(jīng)出水口排出。
本公司LSQ-01真空封管機主要用于樣品的無氧無水真空密封保存和高溫固相合成,整套系統(tǒng)由真空封管機、氫氧焰機、真空系統(tǒng)、石英管機管接頭組成,標準化定制石英管和石英柱保證其余特殊設計的管接頭配合,提升石英管封裝的密封性,實現(xiàn)更高標準的真空封管。
高溫高壓爐設計為高溫高壓條件下使用,爐管采用鎳基合金鋼管,具有較高蠕變強度和抗氧化性。密封圈為金屬無氧銅密封圈,可以在高溫狀態(tài)下通入實驗氣氛參與實驗。設備配有背壓閥,加熱過程中氣體膨脹,壓力上升,背壓閥可將路管內(nèi)多余氣體排出,維持壓力穩(wěn)定。同事設備上裝有壓力傳感器和電磁閥,當壓力傳感器檢測到內(nèi)部壓力大于所設定的壓力時通過信號傳送至高壓電磁閥,電磁閥打開釋放出多余壓力,可確保安全使用。該設備為單端封口設計,可將線質(zhì)材料通過雙芯剛玉管穿過法蘭,并連接到檢測設備上,以便檢測再高溫條件下材料的性能變化。
高溫高壓管式爐如圖所示,集控制系統(tǒng)與爐膛為一體。爐襯使用真空成型高純氧化鋁聚輕材料,采用硅碳棒為加熱元件,均勻分布于爐管兩側(cè),溫場均勻可靠。鎳基合金材料制成的金屬爐管配備CF法蘭密封形式及金屬紫銅密封圈,提高設備的使用溫度,同時能實現(xiàn)在一定的高壓條件下實驗。工件式樣在管中加熱,加熱元件與爐管平行,均勻地分布在爐管外,有效的保證了溫場的均勻性。
1200℃開啟式真空管式爐可通氣氛抽真空,設備采用開啟式結(jié)構(gòu),安裝拆卸方便。石英管確保在高真空條件下使用。進氣端法蘭采用折頁式法蘭設計,避免取放料時的繁瑣操作, 爐管工件橫穿與進口電阻絲的爐膛,溫場均勻,內(nèi)外溫差可控制在5度左右,氣動彈簧支撐結(jié)構(gòu)讓操作者可各角度安全開啟,該款廣泛應用在半導體、納米材料、碳纖維、石墨烯等新材料、新工藝領(lǐng)域。
該供氣系統(tǒng)是一種可控制三種氣體按不同流量進行混合配比,也可根據(jù)實驗需求加裝洗氣裝置,質(zhì)量流量計安裝于密封的可移動機柜內(nèi),由超潔雙拋不銹鋼管與精密雙卡套接頭連接組成。觸摸屏控制.
滑軌式快速升降溫爐是專為生長薄膜石墨烯研制的,也同樣適用于要求升降溫速度比較快的CVD實驗,操作時可將實驗需要的恒定高溫直接推到樣品處,使樣品能得到一個快速的升溫速度,同樣也可將高溫的管式爐直接推離樣品處,使樣品直接暴露在室溫環(huán)境下,得到快速的降溫速率。
熱壓方法的最大優(yōu)點是可以大大降低成形壓力和縮短燒結(jié)時間,可以制得密度高和晶粒極細的材料,該設備可將壓制和燒結(jié)兩個工序一并完成,可以在較低壓力下迅速獲得冷壓燒結(jié)所達不到的密度,從這個意義上說,熱壓是一種強化燒結(jié)。凡是用一般方法能制得的粉末零件,都適于用熱壓方法制造,尤其適于制造全致密難熔金屬及其化合物等材料 。
1400℃高溫管式爐廣泛用于:真空或氣氛燒結(jié)、基片鍍膜等要求加熱溫度較高的實驗環(huán)境.。該設備技術(shù)成熟、質(zhì)量可靠,溫場均勻,結(jié)構(gòu)合理,法蘭以卡箍密封,安裝拆卸簡便快捷,是各大材料實驗室必備的理想設備之一。
中冶有色為您提供最新的安徽有色金屬真空冶金設備優(yōu)質(zhì)商品信息,包括品牌,廠家,圖片、規(guī)格型號、用途、原理、技術(shù)參數(shù)、性能指標等。