本發(fā)明涉及一種C/C
復(fù)合材料表面HfC-SiC涂層的制備方法,通過(guò)對(duì)C/C復(fù)合材料燒蝕處理-引入HfC陶瓷-包埋法在引入SiC陶瓷-得到HfC-SiC涂層。具體過(guò)程為:將C/C復(fù)合材料清洗后烘干備用;調(diào)節(jié)氧氣和乙炔流量,充分混合點(diǎn)燃后對(duì)C/C復(fù)合材料進(jìn)行燒蝕處理,快速獲得含多孔表面層的C/C復(fù)合材料;聚合物浸漬裂解法在C/C復(fù)合材料表面引入HfC陶瓷;采用包埋法引入SiC陶瓷,最終在C/C復(fù)合材料表面制備HfC-SiC陶瓷涂層。發(fā)明的有益效果:與化學(xué)氣相沉積法相比,涂層結(jié)合力提高了20%以上。與反應(yīng)熔滲法相比,涂層制備過(guò)程中沒(méi)有副產(chǎn)物的生成。同時(shí),與相同工藝條件下的SiC涂層C/C復(fù)合材料相比,當(dāng)經(jīng)歷20次1600至室溫的氧乙炔燒蝕環(huán)境下的熱震后,試樣失重率降低了40~70%。
聲明:
“C/C復(fù)合材料表面HfC-SiC涂層的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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