本發(fā)明涉及
儲(chǔ)能技術(shù)領(lǐng)域,尤其涉及一種高耐擊穿強(qiáng)度核殼結(jié)構(gòu)壓電
復(fù)合材料及其制備方法、應(yīng)用,制備方法包括以下步驟:(1)將鈦酸鋇納米顆粒進(jìn)行表面羥基化改性,得羥基化鈦酸鋇納米顆粒;(2)采用
硅烷偶聯(lián)劑改性羥基化鈦酸鋇納米顆粒,得硅烷偶聯(lián)劑@鈦酸鋇納米顆粒;(3)以硅烷偶聯(lián)劑@鈦酸鋇納米顆粒為核,以對(duì)甲苯磺酸為催化劑,采用微波聚合法將2,2?雙(3?氨基?4?羥基苯基)?六氟丙烷和硫脲單體在硅烷偶聯(lián)劑@鈦酸鋇納米顆粒表面進(jìn)行縮聚,制得含氟芳香族聚硫脲@鈦酸鋇納米顆粒。本發(fā)明的高耐擊穿強(qiáng)度核殼結(jié)構(gòu)壓電復(fù)合材料可以同時(shí)實(shí)現(xiàn)高介電常數(shù)和高耐擊穿強(qiáng)度,在電介質(zhì)儲(chǔ)能技術(shù)領(lǐng)域中具有廣闊的應(yīng)用前景。
聲明:
“高耐擊穿強(qiáng)度核殼結(jié)構(gòu)壓電復(fù)合材料及其制備方法、應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)