本發(fā)明公開一種中空結(jié)構(gòu)的碳包覆硅
負(fù)極材料的制備方法,包括:對(duì)銅粉進(jìn)行清洗,得到預(yù)處理銅粉;將
硅烷偶聯(lián)劑、有機(jī)溶劑按照質(zhì)量比1:1加入去離子水中溶解形成硅烷化處理液;將預(yù)處理銅粉加入硅烷化處理液中,在水浴加熱條件下充分?jǐn)嚢?,靜置、干燥得硅烷化銅粉;將硅烷化銅粉、有機(jī)碳源和溶劑混合均勻,干燥得到前驅(qū)物;初步燒結(jié)得硅/碳/氧化銅
復(fù)合材料;經(jīng)酸洗溶液去除其中的金屬離子,得到中空結(jié)構(gòu)的硅/碳復(fù)合材料;二次燒結(jié)處理即可得到中空結(jié)構(gòu)的碳包覆硅負(fù)極材料。本發(fā)明制備的負(fù)極材料中的硅能夠均勻分布在碳包覆層的內(nèi)層,中空的結(jié)構(gòu)能夠有效抑制硅充放電過程中的硅體積效應(yīng),有效提高材料的循環(huán)穩(wěn)定性。
聲明:
“中空結(jié)構(gòu)的碳包覆硅負(fù)極材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)