本發(fā)明公開了一種用于擴散連接碳化硅陶瓷的復(fù)合中間層及其連接工藝,其中用于擴散連接碳化硅陶瓷的復(fù)合中間層的原料及配比構(gòu)成如下:高純氫化鈦粉(TiH
2)55?65wt.%;高純硅粉(Si)20?25wt.%;高純石墨粉(C)12?17wt.%;高純鋁粉(Al)1?3wt.%。本發(fā)明利用放電等離子燒結(jié)技術(shù)(Spark?Plasma?Sintering,SPS),在真空條件下制備了連接層厚度為20?100μm的碳化硅(SiC)接頭。連接層材料主要由鈦碳化硅(Ti
3SiC
2)、碳化硅(SiC)和碳化鈦(TiC)組成。通過改變原料的配比和燒結(jié)的工藝參數(shù),室溫下最高的剪切強度達到了135.8MPa,連接層
復(fù)合材料硬度可達28.1GPa,超過了SiC母材的硬度,具有較高的實用價值。
聲明:
“用于擴散連接碳化硅陶瓷的復(fù)合中間層及其連接工藝” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)