本發(fā)明公開了一種NiOOH@CuO/Cu2O復(fù)合納米片陣列薄膜及其制備方法和應(yīng)用。首先采用陽極氧化工藝在
高純銅材表面生長垂直于基底并相互交錯排列的CuO/Cu2O納米片陣列,然后置于硝酸鎳水溶液中經(jīng)過水熱沉積處理,在納米片陣列上原位沉積羥基氧化鎳納米產(chǎn)物,獲得NiOOH@CuO/Cu2O納米
復(fù)合材料。所制備的電極材料充分發(fā)揮了CuO/Cu2O納米片陣列和NiOOH的
電化學(xué)協(xié)同作用,表現(xiàn)出超高比電容特性和良好的循環(huán)穩(wěn)定性,制備步驟簡單可控,是一種有實際應(yīng)用價值的超級電容電極材料。
聲明:
“NiOOH@CuO/Cu2O復(fù)合納米片陣列薄膜及其制備方法和應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)