本發(fā)明涉及一種半導體
復合材料光催化劑的制備方法,特別涉及一種三維多孔的ZnO?SnS?P?N異質結復合
半導體材料的制備方法,其是通過簡單的兩步溶液法制得。首先利用碳酸氫銨對氧化鋅進行修飾,得到三維花狀氧化鋅,然后選擇檸檬酸為配體,將寬帶隙的N型ZnO與窄帶隙的P型SnS有機結合,并通過十六烷基三甲基溴化銨對復合材料進行修飾,最終得到三維多孔狀ZnO?SnS復合半導體材料。是一種應用在光催化領域的
新材料,其獨特的三維多孔結構和P?N異質結的形成,促進了其在可見光下對有機染料羅丹明B的高效降解,并具有很高的降解穩(wěn)定性。
聲明:
“三維ZnO-SnS P-N異質結的制備和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)