本發(fā)明屬于光
電化學陰極保護領域,具體地講,本發(fā)明涉及一種用于模擬真實海洋環(huán)境下的光電化學陰極保護的納米片陣列復合光電材料及其制備方法和應用。本發(fā)明通過簡單的一步水熱法合成具有高能晶面的TiO
2納米片陣列基底薄膜,并通過兩次連續(xù)離子層吸附反應(SILAR)在納米片表面沉積AgInSe
2/In
2Se
3納米復合層構成多相異質結體系。與單一AgInSe
2敏化的TiO
2納米片陣列光陽極相比,AgInSe
2/In
2Se
3/TiO
2多相異質結的構建進一步優(yōu)化了能帶的匹配,降低了電荷轉移勢壘,有助于增強光電轉換性能。在模擬太陽光照射下,當
復合材料與不銹鋼或銅等金屬材料偶聯(lián)時,可產生較大的光生電流,在模擬海洋環(huán)境中展現(xiàn)了高效的光電化學陰極保護性能。本發(fā)明具有實驗操作簡單易行,產品綠色高效,光電轉換效率高的特點。
聲明:
“用于光電化學陰極保護的納米片陣列復合光電材料及制備和應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)