本發(fā)明涉及一種MPCVD法制備
石墨烯包覆Co3O4粉體的方法,屬于微波等離子與
復(fù)合材料技術(shù)領(lǐng)域。將Co3O4基底粉體平鋪,抽真空至壓強(qiáng)1mTorr以內(nèi),然后Ar、H2、CH4按照氣體流量比為9:10:1~5通入,保持壓強(qiáng)為1~90Torr,開(kāi)啟微波等離子體,在溫度為300~500℃下沉積反應(yīng)30~120min,反應(yīng)結(jié)束后,切斷CH4氣體,保持通入非氧化氣體冷卻至室溫后關(guān)閉非氧化氣體,抽真空至壓強(qiáng)為1mTorr,通入空氣至常壓得到石墨烯包覆Co3O4粉體。本發(fā)明制備過(guò)程中采用Co3O4粉體為鍍覆基體,制備得到的石墨烯包覆Co3O4粉體,與常規(guī)石墨烯包覆復(fù)合粉體材料相比,本發(fā)明的石墨烯包覆Co3O4粉體中石墨烯為少層鱗片狀石墨烯,包覆均勻性好。
聲明:
“MPCVD法制備石墨烯包覆Co3O4粉體的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)