本發(fā)明公開了一種復(fù)合熱釋電材料及其制備方法與制備硅基厚膜的方法,材料為聚偏二氟乙烯與Pb1+x(Sc0.5Ta0.5)O3納米
陶瓷粉體的
復(fù)合材料,0.05≤x≤0.1,其中納米陶瓷粉體的體積分?jǐn)?shù)為30~70%。復(fù)合熱釋電材料的制備方法及其硅基厚膜的方法包括:①配制鈧鉭酸鉛先驅(qū)體溶膠,并利用溶膠制備鈧鉭酸鉛納米粉;②體制備PVDF溶液并制備鈧鉭酸鉛PVDF復(fù)合漿料;③硅基片預(yù)處理后沉積隔熱層和底電極;④旋涂沉積復(fù)合熱釋電厚膜;⑤沉積上電極后極化。本發(fā)明材料兼有有機(jī)和無機(jī)熱釋電材料的優(yōu)點(diǎn),介電常數(shù)小,熱導(dǎo)率低,電壓響應(yīng)優(yōu)值很高;成膜溫度極低,適合于半導(dǎo)體集成工藝;復(fù)合熱釋電厚膜厚度在5~20μm可以控制,成膜效率較高。
聲明:
“復(fù)合熱釋電材料及其制備方法與制備硅基厚膜的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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