一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),包括基板、半導(dǎo)體磊晶層、半導(dǎo)體阻障層、第一半導(dǎo)體元件、絕緣摻雜區(qū)、及至少一絕緣柱。基板包括基材和
復(fù)合材料層,半導(dǎo)體磊晶層設(shè)置于基板上,半導(dǎo)體阻障層設(shè)置于半導(dǎo)體磊晶層上。第一半導(dǎo)體元件設(shè)置于基板上,其中第一半導(dǎo)體元件包括位于半導(dǎo)體阻障層上的第一半導(dǎo)體蓋層。絕緣摻雜區(qū)位于第一半導(dǎo)體元件的一側(cè)。至少部分的絕緣柱位于絕緣摻雜區(qū)內(nèi),絕緣柱圍繞至少部分第一半導(dǎo)體元件且貫穿復(fù)合材料層。
聲明:
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我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)