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      尼龍1/聚偏二氟乙烯復(fù)合介電薄膜及其制備方法

      1028   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
      2023-03-18 17:42:50
      本發(fā)明提供一種尼龍1/聚偏二氟乙烯復(fù)合介電薄膜及其制備方法,涉及復(fù)合材料技術(shù)領(lǐng)域。其組成以重量百分比計:聚偏二氟乙烯80?99%,尼龍1為1?20%。本發(fā)明進(jìn)一步提供尼龍1/聚偏二氟乙烯復(fù)合介電薄膜的制備方法,將聚偏二氟乙烯和尼龍1混合,在轉(zhuǎn)矩流變儀上180?200℃下混煉10?20分鐘;混煉后得到的產(chǎn)物在平板硫化機(jī)上于180?200℃下熱壓10?20分鐘,室溫保壓3?10分鐘,獲得尼龍1/聚偏二氟乙烯復(fù)合介電薄膜。本發(fā)明提高了聚偏二氟乙烯的介電常數(shù)的同時使得其介電損耗保持在較低水平,降低了由于相容性不好導(dǎo)致的各種問題,從而提高了聚偏二氟乙烯的功能特性。
      聲明:
      “尼龍1/聚偏二氟乙烯復(fù)合介電薄膜及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
      我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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