本發(fā)明公開了一種基于MOS@MOF的氫氣傳感器,通過在MOF包覆層的孔徑中以顆粒的形態(tài)嵌入貴金屬顆粒,進(jìn)一步縮小了氣體通過通道,阻隔了絕大部分其他干擾氣體,顯著提高了MOS@MOF對(duì)氫氣的選擇性;同時(shí),嵌入的貴金屬顆粒的催化作用可以降低氫氣在MOS表面反應(yīng)的活化能,促進(jìn)氫氣與吸附氧離子的反應(yīng),從而有效增強(qiáng)MOS@MOF的響應(yīng)性能,開發(fā)出兼顧高選擇性和高靈敏度的
復(fù)合材料氫氣傳感器。這種MOF包覆層和嵌入金屬粒子協(xié)同作用對(duì)制備的氫氣傳感器性能提高起到了關(guān)鍵作用。進(jìn)一步提出了以調(diào)控嵌入的金屬納米顆粒的形態(tài)尺寸的大小的方式,對(duì)孔隙進(jìn)行主動(dòng)調(diào)控,氣體篩分性能表現(xiàn)出了材料可調(diào)控的氣敏選擇性,為設(shè)計(jì)MOF分子篩材料以及MOS@MOF氣體傳感器提供了一個(gè)新的通用思路。
聲明:
“基于MOS@MOF的氫氣傳感器、孔隙調(diào)控及制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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