本發(fā)明涉及一種SiHfBCN吸波陶瓷的制備方法,采用先驅(qū)體共混法將聚硼硅氮烷(PBSZ)和聚鉿氧烷(PHO)按照一定體積比例混合,然后經(jīng)固化、裂解和高溫?zé)崽幚淼玫絊iHfBCN陶瓷。通過對(duì)先驅(qū)體共混比例和高溫?zé)崽幚頊囟鹊恼{(diào)節(jié)可實(shí)現(xiàn)其吸波性能調(diào)控。HfC、HfN和HfB
2晶粒達(dá)到納米級(jí)別,調(diào)節(jié)其體積比例,可實(shí)現(xiàn)材料對(duì)電磁波從吸收到反射的響應(yīng)。本發(fā)明能夠適用于
復(fù)合材料,生成的耐燒蝕HfC,HfN和HfB
2相,可有效提高其在超高溫環(huán)境下的抗燒蝕能力。
聲明:
“SiHfBCN吸波陶瓷的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)