本發(fā)明涉及一種電子封裝結(jié)構(gòu)的聲阻抗表述方法,可用于微電子和
復(fù)合材料檢測領(lǐng)域。本發(fā)明的聲阻抗表述方法通過對超聲A掃描信號進(jìn)行處理分析,得到該點入射方向上各層介質(zhì)的聲阻抗;然后以C掃描的方式在平面內(nèi)移動探頭,從而獲取電子封裝內(nèi)部各點的聲阻抗信息;把各點的聲阻抗信息存儲在矩陣中,并用將其進(jìn)行三維成像,從而表征出電子封裝的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。
聲明:
“電子封裝結(jié)構(gòu)的聲阻抗表述方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)