一種基于氣相沉積法制備大面積超平NiO薄膜的方法,屬于有機(jī)無(wú)機(jī)
復(fù)合材料和光電材料技術(shù)領(lǐng)域。通過(guò)真空蒸鍍系統(tǒng),在基底上氣相沉積一層金屬Ni,經(jīng)由高溫氧化制備了致密、平整的NiO薄膜,此薄膜具有良好的p型半導(dǎo)體特性。相比旋涂法制備的NiO薄膜,氣相沉積的大面積NiO表面更加致密平整,粗糙度大大降低,更有利于NiO對(duì)空穴的抽取,促進(jìn)高效的電荷分離與傳輸。該工作為制備大面積均勻致密的NiO薄膜提供了一種全新解決方案。
聲明:
“基于氣相沉積法制備大面積超平NiO薄膜的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)