本發(fā)明公開了一種黑磷薄膜鈮酸鋰探測器,該探測器結(jié)構(gòu)自下而上依次為:第一層是本征硅襯底(1)、第二層是掩埋氧化物層(2)、第三層是薄膜鈮酸鋰波導(dǎo)(3)、第四層是黑磷(4)、第五層是金屬電極;其中,掩埋氧化物層直接在本征硅襯底上氧化生成;薄膜鈮酸鋰鍵合在掩埋氧化物層上通過刻蝕定義出縱向脊形的薄膜鈮酸鋰波導(dǎo);黑磷橫向覆蓋在薄膜鈮酸鋰波導(dǎo)脊形的中段部分,通過范德華力與薄膜鈮酸鋰波導(dǎo)緊密連接;第一金屬電極(5?1)、第二金屬電極(5?2)分別覆蓋在黑磷和薄膜鈮酸鋰波導(dǎo)脊的兩邊。本發(fā)明探測器具有高速、寬頻、高響應(yīng)、高集成度等特點(diǎn),為片上光子集成電路的發(fā)展提供了解決方案。
聲明:
“黑磷薄膜鈮酸鋰探測器” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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