本發(fā)明公開了一種薄膜鈮酸鋰基集成
芯片及制備方法,其襯底材料為硅基薄膜鈮酸鋰,波導為鈮酸鋰脊形波導,其結構包括輸入輸出端口、馬赫曾德爾電光強度調制器、耦合雙環(huán)諧振器,馬赫曾德爾調制器包含2個1×2多模干涉耦合器、兩個調制臂和一個GSG電極,耦合雙環(huán)諧振器的兩個耦合區(qū)采用基于馬赫曾德爾干涉結構的耦合系數(shù)調諧單元,耦合區(qū)和腔內設置調控電極;射頻信號通過調制器加載到光載波上,后經(jīng)過諧振器處理,輸出的信號通過輸出端輸出到探測器或者其他單元芯片,從而實現(xiàn)包括濾波、延時等的功能。本發(fā)明通過將電光調制器與微環(huán)諧振器集成,實現(xiàn)濾波與延時功能,且采用全硅基薄膜鈮酸鋰材料,擁有大帶寬、快速調諧的優(yōu)勢。
聲明:
“薄膜鈮酸鋰基集成芯片及制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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