本發(fā)明提供的憶阻器的制備方法及憶阻器,屬于電子器件技術(shù)領(lǐng)域,以惰性金屬金和活潑金屬鋰作為憶阻器件的電極層,用以鋰鑭鋯鉭氧為代表的鋰基或鈉基固態(tài)電解質(zhì)作為阻變材料,以形成金(鉑金、鎢)/鋰基或鈉基(鋰鑭鋯鉭氧、鋰鉭磷氧)固態(tài)電解質(zhì)/鋰的三明治結(jié)構(gòu),本發(fā)明使用了鋰基(鋰鑭鋯鉭氧、鋰鉭磷氧)或鈉基固態(tài)電解質(zhì)作為阻變材料,充分利用了鋰基或鈉基固態(tài)電解質(zhì)的各種電學(xué)性能,制備的憶阻器具有不同于其他憶阻器的特性,具備較高的器件開(kāi)關(guān)比。本發(fā)明提供的憶阻器的制備方法,工藝簡(jiǎn)單,成本低,具有良好的應(yīng)用前景,可用于
芯片或者微型存儲(chǔ)器件。
聲明:
“憶阻器的制備方法、憶阻器及存儲(chǔ)器件” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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