本發(fā)明公開了一種含三種摻雜劑的氧化鋅薄膜 及其制造方法,在含鋰襯底上依次包括ZnO緩沖層、ZnO外 延層和P型ZnO三元共摻層,其中,三元共摻層所包含的三 種摻雜劑為:鋰、氮、鋁或鎵。本發(fā)明的有益效果為:在含鋰 襯底上采用高溫擴散的辦法讓鋰通過異質(zhì)界面進入到ZnO薄 膜中制備p型ZnO薄膜,該膜含有鋰、鋁或鎵以及氮三種摻雜 劑,可使膜的空穴濃度至少為5× 1017cm- 3,電阻率低于3cm,霍耳遷移率在0.1~ 10cm2/Vs之間,這些性能允許p 型薄膜用于光生伏特和電致發(fā)光型器件的p-n同質(zhì)結(jié)。
聲明:
“含三種摻雜劑的p型氧化鋅薄膜及其制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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