本發(fā)明提供了一種低電壓雙塊晶體電光Q開關(guān),屬于晶體材料在光電技術(shù)領(lǐng)域中的應(yīng)用。本發(fā)明是由兩塊鈮酸鋰或者鉭酸鋰晶體按照特殊的設(shè)計(jì)切型和設(shè)計(jì)晶軸取向制成的一種電光Q開關(guān)器件,用于YAG激光器及其他激光器中作電光調(diào)Q使用。通過優(yōu)化設(shè)計(jì)開關(guān)構(gòu)型,本發(fā)明解決了現(xiàn)有技術(shù)存在的半波電壓高、消光比低、受兩晶體溫差及長度偏差影響大、對加工精度、溫控精度、晶體質(zhì)量要求苛刻等缺點(diǎn),設(shè)計(jì)的雙塊晶體電光Q開關(guān)同時(shí)兼顧了半波電壓低、溫度范圍寬、兩晶體溫差及長度偏差容許范圍大、消光比更高等優(yōu)點(diǎn),更加有利于實(shí)際應(yīng)用。
聲明:
“低電壓雙塊晶體電光Q開關(guān)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)