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      含MAX相界面層的SiCf/SiC復合材料的制備方法

      1070   編輯:管理員   來源:中冶有色技術網  
      2023-03-18 15:12:02
      本發(fā)明公開了一種含MAX相界面層的SiCf/SiC復合材料的制備方法,采用磁控濺射的方法對SiC纖維編織件進行沉積,獲得含MAX相界面層的SiC纖維,然后采用先驅體浸漬裂解的方法陶瓷化獲得SiCf/SiC復合材料;所述MAX相為Ti3SiC2;所述磁控濺射為先采用TiC靶進行磁控濺射,在SiC纖維束或SiC纖維編織件表面獲得0.1~0.2μm的TiC過鍍層,然后再采用TiC靶材與Si靶雙靶共濺射獲得Ti3SiC2,所述Ti3SiC2的厚度控制為0.6~1.0μm;本發(fā)明首創(chuàng)的采用磁控濺射的方法獲得了含MAX相界面層的SiCf/SiC復合材料,有效降低了沉積溫度,避免了纖維的損傷,所得界面層在抗氧化性能方面優(yōu)于現(xiàn)有技術常用的C、BN等界面層。同時本發(fā)明采用雙先驅體浸漬法,有效的提升了浸漬效率,并獲得了化學計量比的碳化硅陶瓷。
      聲明:
      “含MAX相界面層的SiCf/SiC復合材料的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
      我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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