本發(fā)明公開一種具有間隔層的
稀土?過渡合金
復(fù)合材料的制備方法,將稀土貼片與鐵鈷合金靶相貼合形成復(fù)合鑲嵌靶,先采用磁控濺射復(fù)合鑲嵌靶或者三元合金靶,在基片上生長20~50nm厚的第一層稀土?過渡合金薄膜(磁性薄膜層I),然后濺射0.5~2.5nm厚的金屬間隔層或氧化物間隔層(間隔層),最后繼續(xù)濺射復(fù)合鑲嵌靶或者三元合金靶,在間隔層上生長7~15nm厚的第二層稀土?過渡合金薄膜(磁性薄膜層II),得到的是一種具有間隔層的同一種亞鐵磁稀土?過渡合金(TbFeCo或者DyFeCo)構(gòu)成的復(fù)合材料。該制備方法制備得到的復(fù)合材料性能穩(wěn)定,該復(fù)合材料的結(jié)構(gòu)與垂直磁電器件完全兼容,可以作為一種新型的磁電子學(xué)器件材料用于垂直自旋閥或磁隧道結(jié)器件中。
聲明:
“具有間隔層的稀土?過渡合金復(fù)合材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)