根據(jù)本發(fā)明的
碳納米管可以通過使BET和晶體尺寸滿足由以下式1表示的條件來提供更高的導(dǎo)電性,并且因此可以改善包含所述碳納米管的碳
復(fù)合材料的導(dǎo)電性。[式1]Lc×[CNT的比表面積(cm2/g)]1/2>80其中,Lc為通過X射線衍射而測(cè)量的晶體尺寸。
聲明:
“高導(dǎo)電性碳納米管及制造其的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)