本方法公開了一種鈮酸鋰/氮化硅光波導集成結構及其制備方法,從下到上包括硅襯底層、第二氧化硅層、第三氧化硅層、第四氧化硅層和鈮酸鋰薄膜層,其中第三氧化硅層中間包括被刻蝕的氮化硅波導層,并且氮化硅波導層的厚度與第三氧化硅層厚度一致,第四氧化硅層的厚度為10~100nm;本發(fā)明的一種鈮酸鋰/氮化硅光波導集成結構中,氮化硅光波導和鈮酸鋰薄膜之間存在數(shù)十納米的氧化硅層,該層氧化硅厚度可控,厚度偏差小,表面平整,均勻性好,在制備成器件后光信號能在鈮酸鋰和氮化硅之間得到很好的耦合,使得制備的器件帶寬寬、損耗低,器件一致性好。
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