本發(fā)明提供一種TiN/C包覆Li
4SiO
4氚增殖劑及其制備方法與制備裝置系統(tǒng),所述制備方法包括以下步驟:(1)使Li
4SiO
4顆粒在保護(hù)氣氛中處于流化狀態(tài);(2)在步驟(1)持續(xù)進(jìn)行的基礎(chǔ)上,混合Li
4SiO
4顆粒與碳源氣體,得到C包覆Li
4SiO
4顆粒;(3)在步驟(1)持續(xù)進(jìn)行的基礎(chǔ)上,混合步驟(2)所得C包覆Li
4SiO
4顆粒、鈦源氣體與氮源氣體;(4)氣固分離后得到TiN/C包覆Li
4SiO
4氚增殖劑。所述裝置系統(tǒng)包括料倉(cāng)、流化床包覆裝置、鈦源氣化裝置、產(chǎn)品收集裝置與尾氣處理裝置。本發(fā)明克服了Li
4SiO
4對(duì)包層材料的腐蝕,同時(shí)提升了鋰基陶瓷氚增殖劑在He?H
2/H
2O環(huán)境中的穩(wěn)定性。
聲明:
“TiN/C包覆正硅酸鋰氚增殖劑及其制備方法與制備裝置系統(tǒng)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)