本發(fā)明提供了一種沉積基體,包括:碳材料薄膜;所述碳材料薄膜表面設置有納米褶皺。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明在碳材料薄膜表面設置納米褶皺,通過調(diào)控基體表面的納米結(jié)構(gòu)狀態(tài),將金屬鋰在二維面的沉積行為轉(zhuǎn)變?yōu)樵谌S納米褶皺上沉積,通過大的比表面降低單位面積上的電流,同時納米褶皺也可作為金屬鋰沉積的位點,引導均勻的金屬鋰沉積;并且使二維平整的碳材料薄膜具有三維的、更大的比表面結(jié)合位點,也可引導高度可逆的金屬鋰沉積和溶解。
聲明:
“沉積基體及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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