一種基于MoS
2的全固態(tài)電解質(zhì)憶阻器及其制備方法,屬于電子制備工藝以及類腦計(jì)算領(lǐng)域,首先選用MoS
2作為溝道材料,MoS
2通過(guò)ALD和CVD相結(jié)合的方法來(lái)制備,選用鋰鹽作為固態(tài)電解質(zhì),使用磁控濺射的方法來(lái)制備固態(tài)電解質(zhì)層,使用電子束蒸發(fā)和磁控濺射等方法來(lái)制備電極。通過(guò)柵端電場(chǎng)調(diào)制鋰離子的嵌入和脫出改變二硫化鉬的能帶結(jié)構(gòu),同時(shí)源漏兩端施加讀取電壓得到溝道電導(dǎo)的變化,使得憶阻器件具有良好的電導(dǎo)更新線性度和更低的操作功耗,可以應(yīng)用于新一代神經(jīng)形態(tài)計(jì)算。利用上述的器件結(jié)構(gòu)已經(jīng)制備出相應(yīng)的全固態(tài)電解質(zhì)憶阻器,在脈沖激勵(lì)下,實(shí)現(xiàn)了良好的電導(dǎo)更新對(duì)稱性和近98%的電導(dǎo)線性度,同時(shí)器件具有10
5以上的耐久性。
聲明:
“基于MoS2的全固態(tài)電解質(zhì)憶阻器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)