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      鈣鈦礦發(fā)光二極管及其制備方法

      838   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
      2023-03-19 00:17:44
      本發(fā)明公開了一種鈣鈦礦發(fā)光二極管,依次由導電基底層、空穴傳輸層、1,3,5?均苯三甲酸鈍化的鈣鈦礦發(fā)光層、電子傳輸層、陰極修飾層和金屬鋁電極組成;其中鈣鈦礦發(fā)光層由摻雜濃度為1~3mg/ml的1,3,5?均苯三甲酸的前驅(qū)體溶液一步旋涂然后退火處理形成;其制備方法包括以下步驟:(1)選取ITO作為導電基底;(2)在ITO基底上旋涂TFB:PVK的氯苯溶液,退火處理,形成空穴傳輸層;(3)旋涂摻雜1,3,5?均苯三甲酸的鈣鈦礦前驅(qū)體溶液,退火處理,形成鈣鈦礦發(fā)光層;(4)真空熱蒸鍍TPBi,形成電子傳輸層;(5)真空熱蒸鍍氟化鋰,形成陰極修飾層;(6)真空熱蒸發(fā)金屬鋁電極;通過1,3,5?均苯三甲酸優(yōu)化的鈣鈦礦發(fā)光層,形成了更加致密的薄膜,提高了載流子復合,減少了電流泄漏。
      聲明:
      “鈣鈦礦發(fā)光二極管及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
      我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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