本發(fā)明提供的透明導電膜,包含可透光的基板、兩個p型半導體層,以及一個銀金屬層。所述p型半導體層上下間隔相對,并且位于該基板上,每一p型半導體層的材料為摻雜鋰的氧化鎳(以下簡寫為L?NiO)。該銀金屬層位于該p型半導體層之間,該銀金屬層的厚度為5nm?25nm。每一個p型半導體層對于可見光的透光度大于或等于90%,該透明導電膜對于可見光的透光度為65%?85%,該透明導電膜的電阻率為10
?2Ωcm?10
?4Ωcm。
聲明:
“透明導電膜及其制造方法” 該技術專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
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