本申請?zhí)峁┑囊环N化學(xué)機(jī)械研磨機(jī)臺缺陷檢測方法,通過利用待檢測的化學(xué)機(jī)械研磨機(jī)臺研磨將具有第一厚度的氧化硅膜層研磨成具有第二厚度的氧化硅膜層,這樣待檢測的化學(xué)機(jī)械研磨機(jī)臺的缺陷會導(dǎo)致所述具有第二厚度的氧化硅膜層上具有缺陷,可以直接檢測具有第二厚度的氧化硅膜層上的缺陷,避免了對待檢測的化學(xué)機(jī)械研磨機(jī)臺進(jìn)行檢測的復(fù)雜的步驟。進(jìn)一步的,在所述具有第二厚度的氧化硅膜層上形成第二膜層,由于所述第二膜層的透明度小于所述具有第二厚度的氧化硅膜層,在去除所述第二膜層過程中,所述第二膜層的顆粒會殘留在所述缺陷內(nèi),使所述缺陷的邊界更加明顯,這樣在對缺陷檢測時,可以使缺陷更加容易的被檢測到,可以大大的降低漏檢的可能,提高了檢測的準(zhǔn)確度。
聲明:
“化學(xué)機(jī)械研磨機(jī)臺缺陷檢測方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)