本發(fā)明提供了一種酶修飾
電化學(xué)電極及其制備方法與超薄鍍酶裝置,所述酶修飾電化學(xué)電極包括基體電極及基體電極表面的酶鍍層;所述酶鍍層的厚度為10nm~300nm,所述酶修飾電化學(xué)電極對惰性底物的檢測范圍為0.01μmol/L~50mmol/L。本發(fā)明所述酶修飾電化學(xué)電極的酶耗量較低,生產(chǎn)成本較低,利于大規(guī)模推廣使用;所述酶修飾電化學(xué)電極的酶鍍層厚度為納米級,對底物的響應(yīng)快,響應(yīng)延遲時間為微秒級;所述酶修飾電化學(xué)電極的酶鍍層對基體電極的尺寸改變很小,有利于酶修飾電化學(xué)電極在微米級與納米級場景下的使用;所述酶修飾電化學(xué)電極的壽命較長且易保存。
聲明:
“酶修飾電化學(xué)電極及其制備方法與超薄鍍酶裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)